[發明專利]光刻并刻蝕引線孔的方法

有效

• 申請號: 201310051876.4
• 申請日: 2013-02-17
• 公開（公告）號: CN103996650B
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 黃瑋
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/02;G03F7/20;G03F7/42
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種光刻并刻蝕引線孔的方法，包括下列步驟：

在晶圓上形成鋁布線，所述鋁布線包括鋁層和位于所述鋁層上表面的保護層；

在所述鋁布線上淀積鈍化介質形成鈍化層，并進行光刻；

進行鈍化腐蝕，在引線孔處的所述鈍化層只腐蝕一部分、所述保護層于鈍化腐蝕中全部余留；

在所述晶圓表面涂布聚酰亞胺；

在所述聚酰亞胺表面涂布光刻膠并進行曝光和顯影；

檢查聚酰亞胺的光刻是否有異常，如果檢測到異常則進行聚酰亞胺的返工處理，如無異常再執行下一步驟；

通過干法刻蝕去除聚酰亞胺殘留；

再次進行鈍化腐蝕；以顯影后的光刻膠為掩膜進行鈍化腐蝕，直至將所述保護層完全去除；

固化所述聚酰亞胺。

2.根據權利要求1所述的光刻并刻蝕引線孔的方法，其特征在于，所述進行鈍化腐蝕的步驟中，所述鈍化層仍余留有100埃至500埃。

3.根據權利要求1所述的光刻并刻蝕引線孔的方法，其特征在于，所述在所述鋁布線上淀積鈍化介質形成鈍化層的步驟中，所述鈍化層的材質為二氧化硅或氮化硅。

4.根據權利要求1-3中任意一項所述的光刻并刻蝕引線孔的方法，其特征在于，所述在晶圓上形成鋁布線的步驟中，所述保護層的厚度為350埃至600埃。