[發明專利]透明導電氧化物薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201310051864.1
• 申請日: 2013-02-17
• 公開（公告）號: CN103147041A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 陳劍輝;李鋒;沈燕龍;趙文超;李高非;胡志巖;熊景峰;宋登元
• 申請（專利權）人: 英利集團有限公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/35;H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種透明導電氧化物薄膜的制備方法，應用于磁控濺射設備，其特征在于，包括以下步驟：

采用第一功率，在襯底上制備第一層薄膜；

采用第二功率，在第一層薄膜上制備第二層薄膜；

其中，第二功率大于第一功率。

2.根據權利要求1所述的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，還包括步驟：

采用大于第二功率的第三功率，在第二層薄膜上制備第三層薄膜。

3.根據權利要求2所述的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，還包括步驟：

采用大于第三功率的第四功率，在第三層薄膜上制備第四層薄膜。

4.根據權利要求1所述的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述第一功率為1W~500W，包括端點值，所述第二功率為2000W~5000W，包括端點值。

5.根據權利要求2所述的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述第一功率為1W~500W，包括端點值，所述第二功率為1000W~2000W，包括端點值，所述第三功率為2000W~5000W，包括端點值。

6.根據權利要求3所述的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述第一功率為1W~500W，包括端點值，所述第二功率為500W~1000W，包括端點值，所述第三功率為1000W~2000W，包括端點值，所述第四功率為2000W~5000W，包括端點值。

7.根據權利要求4、5或6所述的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，制備第二層薄膜的靶材與制備第一層薄膜的靶材相同或不同。

8.根據權利要求7所述的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，制備第三層和第四層薄膜的靶材與制備第二層薄膜的靶材相同。

9.根據權利要求8所述的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，制備透明導電氧化物薄膜的靶材為摻雜Mo、W、Ti或Zr的In₂O₃、摻雜Al的ZnO或摻雜W、F的SnO₂。

10.根據權利要求9所述的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述第一層薄膜的厚度為3nm~20nm，包括端點值，所述透明導電氧化物薄膜的厚度為40nm~200nm，包括端點值。

11.根據權利要求1-10任一項所述的方法制備的透明導電氧化物薄膜。

12.根據權利要求1-10任一項所述的方法生產的太陽能電池片。