[發(fā)明專利]引線孔的返工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310051844.4
• 申請日: 2013-02-17
• 公開（公告）號: CN103996626B
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃瑋
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種引線孔的返工方法，其特征在于，于鈍化光刻和聚酰亞胺光刻工藝后進(jìn)行，所述聚酰亞胺光刻包括在晶圓表面涂布聚酰亞胺，在聚酰亞胺表面涂布光刻膠并進(jìn)行曝光和顯影的步驟，所述方法包括下列步驟：

剝離晶圓表面的聚酰亞胺；

重新在所述晶圓上淀積鋁層；

在所述鋁層表面涂布光刻膠并曝光顯影，顯影后剩余的光刻膠圖形為所述鈍化光刻中顯影后光刻膠圖形的互補圖形；

腐蝕所述鋁層；

再次進(jìn)行所述聚酰亞胺光刻；

固化晶圓表面的所述聚酰亞胺。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線孔的返工方法，其特征在于，所述在所述鋁層表面涂布光刻膠并曝光顯影的步驟中使用的掩膜版與所述鈍化光刻工藝中使用的掩膜版相同、光刻膠類型相反。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的引線孔的返工方法，其特征在于，所述在所述鋁層表面涂布光刻膠并曝光顯影的步驟中使用的光刻膠為負(fù)性光刻膠，所述鈍化光刻工藝中使用的光刻膠為正性光刻膠。

4.一種引線孔的返工方法，其特征在于，于鈍化光刻和鈍化腐蝕工藝后進(jìn)行，包括下列步驟：

在形成有鋁層、引線孔及引線孔兩側(cè)的鋁層上的鈍化層的晶圓上重新淀積鋁層；

在所述鋁層表面涂布光刻膠并曝光顯影，顯影后剩余的光刻膠圖形為所述鈍化光刻中顯影后光刻膠圖形的互補圖形；

腐蝕所述鋁層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的引線孔的返工方法，其特征在于，所述重新在晶圓上淀積鋁層的步驟前還包括再次對晶圓進(jìn)行所述鈍化光刻的步驟，以及通過刻蝕去除造成返工的殘留雜質(zhì)的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的引線孔的返工方法，其特征在于，所述殘留雜質(zhì)為氮化鈦。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的引線孔的返工方法，其特征在于，所述鈍化腐蝕工藝中腐蝕的鈍化介質(zhì)為二氧化硅或氮化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的引線孔的返工方法，其特征在于，所述在所述鋁層表面涂布光刻膠并曝光顯影的步驟中使用的掩膜版與所述鈍化光刻工藝中使用的掩膜版相同、光刻膠類型相反。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的引線孔的返工方法，其特征在于，所述在所述鋁層表面涂布光刻膠并曝光顯影的步驟中使用的光刻膠為負(fù)性光刻膠，所述鈍化光刻工藝中使用的光刻膠為正性光刻膠。