[發明專利]光學元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310051641.5
• 申請日: 2013-02-04
• 公開（公告）號: CN103308968A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 峰邑浩行;安齋由美子
• 申請（專利權）人: 日立民用電子株式會社
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30;G02B5/08
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;馬立榮

1.一種光學元件，其特征在于，

具有入射電磁波的呈周期性結構的凹凸形狀部，

在構成所述凹凸形狀部的表面的第一面和第二面中，

遠離所述電磁波的入射側的所述第一面的表面粗糙度大于靠近所述電磁波的入射側的所述第二面的表面粗糙度。

2.根據權利要求1所述的光學元件，其特征在于，

在用正態分布下的標準偏差表示表面粗糙度的情況下，

與所述第一面的表面粗糙度相對應的第一標準偏差大于與所述第二面的表面粗糙度相對應的第二標準偏差。

3.根據權利要求2所述的光學元件，其特征在于，

所述第一標準偏差為22nm以上且44nm以下。

4.根據權利要求1所述的光學元件，其特征在于，

所述電磁波包含第一偏振光、以及偏振方向與所述第一偏振光正交的第二偏振光，

在所述第一面吸收所述第一偏振光，

在所述第二面反射所述第二偏振光。

5.根據權利要求1所述的光學元件，其特征在于，

所述電磁波包含第一偏振光、以及偏振方向與所述第一偏振光正交的第二偏振光，

所述第一偏振光在所述第一面的反射率小于所述第二偏振光在所述第二面的反射率。

6.根據權利要求5所述的光學元件，其特征在于，

所述第一偏振光在所述第一面的反射率為1％以下，

所述第二偏振光在所述第二面的反射率為85％以上。

7.根據權利要求1所述的光學元件，其特征在于，

所述凹凸形狀部的周期小于所述電磁波的波長。

8.根據權利要求1所述的光學元件，其特征在于，

所述光學元件是反射型偏振片。

9.一種光學元件，其特征在于，包括：

入射電磁波的呈周期性結構的凹凸形狀部；以及

設置在所述凹凸形狀部的下層、吸收所述電磁波的吸收層。

10.根據權利要求9所述的光學元件，其特征在于，

所述電磁波包含第一偏振光、以及偏振方向與所述第一偏振光正交的第二偏振光，

所述第一偏振光在所述吸收層被吸收，

所述第二偏振光在構成所述凹凸形狀部的上表面被反射。

11.根據權利要求9所述的光學元件，其特征在于，

所述電磁波包含第一偏振光、以及偏振方向與所述第一偏振光正交的第二偏振光，

所述第一偏振光在所述吸收層的反射率小于所述第二偏振光在構成所述凹凸形狀部的上表面的反射率。

12.根據權利要求9所述的光學元件，其特征在于，

所述吸收層由金屬氧化物膜或金屬氮化物膜形成。

13.一種光學元件的制造方法，其特征在于，包括：

(a)準備基板的工序；

(b)在所述基板的表面形成具有周期性結構的凹凸形狀部的工序；以及

(c)以具有指向性的成膜法在形成了所述凹凸形狀部的所述基板上形成反映了所述凹凸形狀部的形狀的金屬膜的工序。

14.根據權利要求13所述的光學元件的制造方法，其特征在于，

所述(c)工序是利用粒子束成膜的成膜工序，其中所述粒子束的金屬粒子的動能局部存在于所述基板的厚度方向。

15.根據權利要求13所述的光學元件的制造方法，其特征在于，

所述(c)工序是使所述金屬膜的凹部底面的表面粗糙度大于所述金屬膜的凸部上表面的表面粗糙度的工序。