[發(fā)明專利]熱反應型抗蝕劑材料、使用它的熱光刻用層壓體以及使用它們的模具的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310051617.1 | 申請日： | 2009-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN103123443A | 公開（公告）日： | 2013-05-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 三田村哲理;古谷一之;中川義清;前田雅俊 | 申請（專利權）人： | 旭化成株式會社 |
| 主分類號： | G03F7/004 | 分類號： | G03F7/004;G03F7/00;G11B7/26 |
| 代理公司： | 上海市華誠律師事務所 31210 | 代理人： | 徐申民;李曉 |
| 地址： | 日本國大阪府大阪*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反應 型抗蝕劑 材料 使用 光刻 層壓 以及 它們 模具 制造 方法 | ||
1.一種熱反應型抗蝕劑材料，其用于使用了氟碳系氣體的干蝕刻中，其特征在于，包含分解性氧化物材料，且通過分解形成圖案，所述分解性氧化物是CuO、Co3O4、MnO2、Mn2O3、CrO3、BaO2中的任意一個。
2.根據(jù)權利要求1所述的熱反應型抗蝕劑材料，其特征在于，所述分解性氧化物是CuO、Co3O4、Mn2O3中的任意一個。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的熱反應型抗蝕劑材料，其特征在于，進一步含有選自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Mo、Zr、Zn、Ga、Ru、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Pt、Au、C以及B之中的至少一個元素。
4.一種熱光刻用層壓體，其特征在于，具備主要含有權利要求1至權利要求3的任意一項所述的熱反應型抗蝕劑材料的熱反應型抗蝕劑層與設置在所述熱反應型抗蝕劑層的下層的蝕刻層，構成所述蝕刻層的蝕刻材料至少含有1種以上主要氟化物的沸點在250℃以下的元素，且構成所述熱反應型抗蝕劑材料的主要元素的主要氟化物的沸點高于構成所述蝕刻材料的主要元素的主要氟化物的沸點。
5.根據(jù)權利要求4所述的熱光刻用層壓體，其特征在于，所述蝕刻材料為選自Ta、Mo、W、C、Si、Ge、Te、P與2種以上這些元素的復合物、以及它們的氧化物、氮化物、硫化物和碳酸化物之中的材料。
6.根據(jù)權利要求4所述的熱光刻用層壓體，其特征在于，所述蝕刻材料為選自Ta、Si、Ge、P及它們的氧化物、氮化物、硫化物和碳酸化物以及Mo、W的硅化物之中的材料。
7.根據(jù)權利要求4所述的熱光刻用層壓體，其特征在于，所述蝕刻材料為選自Ta、Si、Ge、P及它們的氧化物、氮化物之中的材料。
8.根據(jù)權利要求4所述的熱光刻用層壓體，其特征在于，所述蝕刻材料為選自SiO2、Si及Si3N4之中的材料。
9.一種模具的制造方法，其包括以下步驟：
工序（1），在基材上配置由權利要求4至權利要求8的任意一項所述的熱光刻用層壓體所使用的蝕刻材料構成的蝕刻層，進一步在所述蝕刻層上層壓由權利要求1至權利要求3的任意一項所述的熱反應型抗蝕劑材料構成的抗蝕劑層，形成層壓膜；
工序（2），對所述層壓膜的熱反應型抗蝕劑層曝光后進行顯影；
工序（3），接著，將所述熱反應型抗蝕劑層作為掩膜，通過氟碳系氣體對所述蝕刻層進行干蝕刻；
工序（4），除去所述熱反應型抗蝕劑，制造模具。
10.根據(jù)權利要求9所述的模具的制造方法，其中，所述工序（1）中的層壓是使用濺射法、蒸鍍法或者化學氣相沉積法進行的。
11.根據(jù)權利要求9或10所述的模具的制造方法，其特征在于，所述基材為平板形狀。
12.根據(jù)權利要求9或10所述的模具的制造方法，其特征在于，所述基材為套筒形狀。
13.根據(jù)權利要求9至權利要求12任意一項所述的模具的制造方法，其特征在于，所述工序（2）中的曝光是用半導體激光進行的。
14.一種模具，其特征在于，由權利要求9至權利要求13任意一項所述的模具的制造方法制造。
15.根據(jù)權利要求14所述的模具，其特征在于，具有1nm以上、1μm以下的微細圖案。
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