[發(fā)明專利]一種多孔炭材料負(fù)載介孔TiO2-Ag復(fù)合體及其制備工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310051439.2 | 申請日: | 2013-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN103212409A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李佑稷;劉祝祥 | 申請(專利權(quán))人: | 吉首大學(xué) |
| 主分類號: | B01J23/50 | 分類號: | B01J23/50;B01J35/10;C02F1/30 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 416000 *** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多孔 材料 負(fù)載 tio sub ag 復(fù)合體 及其 制備 工藝 | ||
1.一種多孔炭材料負(fù)載介孔TiO2-Ag復(fù)合體的制備工藝,其特征在于,該制備工藝以超臨界CO2流體為溶劑,以液晶為軟模板,通過溶膠化處理,合成液晶-無機(jī)物前驅(qū)體溶膠,再以此為沉淀劑,利用超臨界流體具有的超溶解性、強(qiáng)擴(kuò)散性和獨(dú)特傳質(zhì)性,使沉淀劑滲透到孔隙里;然后,采用熱處理,實(shí)現(xiàn)介孔(TiO2-Ag)負(fù)載于多孔炭載體中,合成多孔炭材料負(fù)載介孔(TiO2-Ag)復(fù)合體。
2.如權(quán)利要求1所述的多孔炭材料負(fù)載介孔(TiO2-Ag)復(fù)合體的制備工藝,其特征在于,具體制備工藝為:
(1)以液晶為軟模板、通過溶膠化過程,制備液晶-無機(jī)物前驅(qū)體溶膠;
(2)以液晶-無機(jī)物前驅(qū)體溶膠為沉淀劑,通過超臨界流體沉淀過程、使其滲透到多孔炭材料(C)孔隙中,制備液晶-無機(jī)物前驅(qū)體/C復(fù)合材料;
(3)通過高溫焙燒液晶-無機(jī)物前驅(qū)體/C復(fù)合材料,獲得介孔(TiO2-Ag)/C復(fù)合納米材料。
3.如權(quán)利要求1所述的多孔炭材料負(fù)載介孔(TiO2-Ag)復(fù)合體的制備工藝,其特征在于,
所用試劑純度與重量百分比為:鈦酸丁酯,純度>99.0,15-25%;無水乙醇,純度>99.9,40-50%;十二烷基三甲基溴化銨,純度>99.0,10-20%;硝酸銀,純度>99.0,0.5-1%;濃鹽酸,質(zhì)量濃度>32.5,0.1-1%;
液晶為水和表面活性劑混合體系;
多孔材料為活性炭(C)。
4.如權(quán)利要求1所述的多孔炭材料負(fù)載介孔(TiO2-Ag)復(fù)合體的制備工藝,其特征在于,
超臨界條件,升溫速率2-4℃,溫度34.1-300℃,壓強(qiáng)7.1-50Mpa,超臨界時間2-4h。
5.如權(quán)利要求1所述的多孔炭材料負(fù)載介孔(TiO2-Ag)復(fù)合體的制備工藝,其特征在于,
解臨界條件,首先停止加熱,讓超臨界釜冷卻,達(dá)到常溫度。
6.如權(quán)利要求1所述的多孔炭材料負(fù)載介孔(TiO2-Ag)復(fù)合體的制備工藝,其特征在于,
無機(jī)物前驅(qū)體為鈦酸丁酯。
7.如權(quán)利要求1所述的多孔炭材料負(fù)載介孔(TiO2-Ag)復(fù)合體的制備工藝,其特征在于,
摻雜劑為硝酸銀。
8.如權(quán)利要求1所述的多孔炭材料負(fù)載介孔(TiO2-Ag)復(fù)合體的制備工藝,其特征在于,
TiO2-Ag-液晶溶膠體超臨界沉積在多孔材料中,超臨界沉積次數(shù)1-8次。
9.如權(quán)利要求1所述的多孔炭材料負(fù)載介孔(TiO2-Ag)復(fù)合體的制備工藝,其特征在于,
焙燒前,TiO2-Ag-液晶前驅(qū)體/C進(jìn)行熱處理的溫度100-300℃,時間1-3h,升溫速率為0.5-3℃/min;焙燒溫度300-900℃,時間時間1-3h,升溫速率為3-5℃/min之間。
10.一種如權(quán)利要求1所述的多孔炭材料負(fù)載介孔(TiO2-Ag)復(fù)合體的制備工藝制備的多孔炭材料負(fù)載介孔(TiO2-Ag)復(fù)合體。
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