[發明專利]在襯底表面上的等離子體激活的保形膜沉積的方法

有效

• 申請號: 201310051287.6
• 申請日: 2013-02-16
• 公開（公告）號: CN103243310B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 阿德里安·拉瓦伊;馬克·J·薩利;丹尼爾·莫澤;拉杰什·奧德德拉;拉維·卡尼奧莉亞
• 申請（專利權）人: 諾發系統公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 上海勝康律師事務所31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種在襯底表面沉積膜的方法，其包括：

將襯底提供至反應室中；

從由二-叔-丁基二疊氮基硅烷、三（二甲胺基）甲硅烷基疊氮化物、以及雙（叔-丁酰肼）二乙基硅烷組成的前體組中選擇含硅反應物；

將處于氣相的所述含硅反應物引入到所述反應室中；以及

將處于氣相的第二反應物引入到所述反應室中。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

在能讓所述含硅反應物吸附到所述襯底表面的條件下引入所述含硅反應物；以及

將所述襯底表面暴露于等離子體以驅動所述含硅反應物和所述第二反應物之間的在所述襯底表面上的反應，從而形成所述膜。

3.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在所述含硅反應物被吸附到所述襯底表面上并且在沒有事先將所述含硅反應物清掃出所述反應室時將所述第二反應物引入到所述反應室。

4.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括使所述第二反應物以恒定的流率、非恒定的流率或者斷續的流率中的一種流率流到所述襯底表面。

5.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述膜包括SiN;

所述膜形成保形結構；以及

所述膜的沉積在小于或者等于400℃的溫度進行。

6.一種在襯底表面沉積膜的方法，其包括：

(a)將襯底提供至反應室中；

(b)從由二-叔-丁基二疊氮基硅烷、雙（乙基甲基胺基）硅烷、雙（二異丙基氨基）硅烷、雙（叔-丁酰肼）二乙基硅烷、三（二甲胺基）甲硅烷基疊氮化物、三（二甲胺基）甲硅烷基氨化物、三疊氮乙基硅、二異丙基氨基硅烷、以及六（二甲基胺基）二硅氮烷組成的前體組中選擇含硅反應物；

(c)在能讓所述含硅反應物被吸附到所述襯底表面的條件下將處于氣相的所述含硅反應物引入到所述反應室中；

(d)在所述含硅反應物被吸附到所述襯底表面時將處于氣相的第二反應物引入所述反應室，其中在沒有事先將所述含硅反應物清掃出所述反應室時將所述第二反應物引入；以及

(e)將所述襯底表面暴露于等離子體以驅動所述含硅反應物和所述第二反應物之間的在所述襯底表面上的反應，從而形成所述膜。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，在所述含硅反應物和所述第二反應物中的至少一種被暴露于所述襯底處于氣相時點燃所述等離子體。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述含硅反應物和所述第二反應物處于所述氣相時不相互反應。

9.根據權利要求6所述的方法，其中：

所述膜包括SiN膜；以及

所述膜的沉積在小于或者等于400℃的溫度進行。

10.根據權利要求6所述的方法，其進一步包括在(d)過程中使所述第二反應物以非恒定的流率流到所述襯底表面。

11.根據權利要求6所述的方法，其進一步包括在(e)之前將處于氣相的所述第二反應物清掃出。

12.根據權利要求6所述的方法，其進一步包括在所述清掃階段之后但在(e)之前將所述襯底表面暴露于所述第二反應物。

13.根據權利要求6所述的方法，其中所述含硅反應物和所述第二反應物共存于氣相狀態，并且其中所述含硅反應物和所述第二反應物直到在(e)中暴露于等離子體時，才明顯地反應。

14.根據權利要求6所述的方法，其中在(e)中形成的所述膜形成保形結構。

15.根據權利要求6所述的方法，其進一步包括，在(e)后，通過化學氣相沉積在所述膜的一部分上直接沉積另外的膜。

16.根據權利要求6所述的方法，其進一步包括使所述第二反應物以恒定的流率、非恒定的流率或者斷續的流率中的一種流率流到所述襯底表面。