[發明專利]用于疊層封裝器件的模制底部填充物有效
| 申請號: | 201310051231.0 | 申請日: | 2013-02-16 |
| 公開(公告)號: | CN103811355A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 余振華;李建勛;鄭榮偉;王宗鼎;鄭明達;陳永慶 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/28 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 封裝 器件 底部 填充物 | ||
1.一種用于形成器件的方法,包括:
提供載體封裝件,至少一個連接盤設置在第一側上;
在所述載體封裝件的所述第一側上應用封裝安裝件;
將管芯安裝至所述載體封裝件的所述第一側;
向所述載體封裝件的至少第一側應用模制底部填充物(MUF),所述MUF與所述封裝安裝件的至少一部分接觸并且與所述管芯的側壁的至少一部分接觸;以及
將具有至少一個連接盤的頂部封裝件安裝至所述載體封裝件的所述第一側,所述頂部封裝件的連接盤與所述載體封裝件的連接盤電通信,并且所述頂部封裝件被安裝在所述管芯的至少一部分之上。
2.根據權利要求1所述的方法,還包括削平所述封裝安裝件以形成削平的表面。
3.根據權利要求2所述的方法,其中,在應用所述MUF之前執行削平所述封裝安裝件,并且應用所述MUF包括應用具有圍繞與所述封裝安裝件的削平頂面基本齊平的封裝安裝件的MUF區域的MUF。
4.根據權利要求2所述的方法,其中,在應用所述MUF之后執行削平所述封裝安裝件,并且削平所述封裝安裝件包括將所述封裝安裝件的高度降低至與圍繞所述封裝安裝件的MUF區域基本相同的高度。
5.根據權利要求2所述的方法,還包括對所述載體封裝件的第一側應用管芯安裝件并且削平所述管芯安裝件,其中所述管芯安裝至所述管芯安裝件。
6.根據權利要求2所述的方法,還包括在所述封裝安裝件上應用封裝安裝柱,所述封裝安裝柱與所述載體封裝件的連接盤電通信,并且安裝所述頂部封裝件包括將所述頂部封裝件安裝至所述封裝安裝柱。
7.根據權利要求1所述的方法,其中,所述MUF包括封裝安裝件MUF區和管芯側壁MUF區,所述管芯側壁MUF區與所述管芯的側壁的至少一部分接觸,所述封裝安裝件至少部分地設置在所述封裝安裝件MUF區中,并且所述封裝安裝件MUF區的頂面處于不同于所述管芯側壁MUF區的頂面的高度。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,所述封裝安裝件MUF區的頂面位于所述管芯的頂面下方。
9.一種器件,包括:
載體封裝件,具有至少一個連接盤;
封裝安裝件,設置在所述載體封裝件的第一側上并與所述載體封裝件的連接盤電通信;
管芯安裝件,設置在所述載體封裝件的所述第一側上;
管芯,安裝在所述管芯安裝件上;以及
模制底部填充物(MUF),設置在所述載體封裝件的所述第一側上,所述MUF與所述封裝安裝件的至少一部分接觸并與所述管芯的側壁的至少一部分接觸。
10.一種器件,包括:
載體封裝件,具有至少一個連接盤;
封裝安裝件,設置在所述載體封裝件的第一側上并與所述載體封裝件的連接盤電通信;
管芯,設置在所述載體封裝件的第一側上;以及
模制底部填充物(MUF),設置在所述載體封裝件的第一側上并至少具有封裝安裝件MUF區和管芯側壁MUF區,所述管芯側壁MUF區與所述管芯的側壁的至少一部分接觸,并且所述封裝安裝件至少部分地設置在所述封裝安裝件MUF區中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





