[發明專利]鰭式場效應晶體管的柵極堆疊件

有效

• 申請號: 201310051230.6
• 申請日: 2013-02-16
• 公開（公告）號: CN103367442A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種場效應晶體管(FinFET)，包括：

襯底，包含第一表面；

絕緣區，覆蓋所述第一表面的一部分，其中，所述絕緣區的頂部限定第二表面；

鰭，被設置成穿過所述絕緣區中的開口至所述第二表面之上的第一高度，其中，所述鰭的上部的底部寬于所述上部的頂部，其中，所述上部具有第一楔形側壁和第三表面；

柵極電介質，覆蓋所述第一楔形側壁和所述第三表面；以及

導電柵極帶，橫跨在所述柵極電介質上方，其中，所述導電柵極帶沿著所述鰭的縱向方向具有第二楔形側壁。

2.根據權利要求1所述的FinFET，其中，所述第一楔形側壁與所述第一表面的夾角為約84度至88度。

3.根據權利要求2所述的FinFET，其中，所述第一楔形側壁的最大寬度與所述第三表面的寬度之間的差值為約1.5nm至5nm。

4.根據權利要求1所述的FinFET，其中，所述鰭還包括從所述上部的底部向下延伸至所述第一表面并且具有第二高度的下部，其中，所述下部具有第三楔形側壁。

5.根據權利要求4所述的FinFET，其中，所述第三楔形側壁與所述第一表面的夾角為約60度至85度。

6.根據權利要求4所述的FinFET，其中，所述第一高度與所述第二高度的比值為約0.2至0.5。

7.根據權利要求1所述的FinFET，其中，所述第二楔形側壁與所述第一表面的夾角為約85度至88度。

8.根據權利要求1所述的FinFET，其中，所述第二楔形側壁的最大寬度與所述第二楔形側壁的最小寬度的比值為1.05至1.25。

9.根據權利要求1所述的FinFET，其中，所述導電柵極帶包含多晶硅；選自由W、Cu、Ti、Ag、Al、TiAl、TiAlN、TaC、TaCN、TaSiN、Mn或Zr所組成的組中的至少一種金屬；或者選自由TiN、WN、TaN或Ru所組成的組中的至少一種金屬。

10.根據權利要求1所述的FinFET，其中，所述導電柵極帶還包括位于所述第二楔形側壁上方的基本垂直的部分。