[發明專利]太陽能電池的制作方法

有效

• 申請號: 201310050859.9
• 申請日: 2013-02-08
• 公開（公告）號: CN103985780A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 王懿喆;金光耀;洪俊華
• 申請（專利權）人: 上海凱世通半導體有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 薛琦

1.一種太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S₁、在一襯底的背面中形成一第一導電類型摻雜層；

步驟S₂、在該第一導電類型摻雜層上形成一掩膜，未被該掩膜覆蓋的區域為開放區域，刻蝕該開放區域的該第一導電類型摻雜層直至暴露出該襯底由此在該襯底的背面中形成凹槽和第一導電類型摻雜區域，該第一導電類型摻雜區域為未經刻蝕的該第一導電類型摻雜層；

步驟S₃、通過離子注入的方式將第二導電類型離子注入至該凹槽中以形成第二導電類型摻雜區域，并且去除該掩膜；

步驟S₄、對該襯底進行退火處理以在該第一導電類型區域、該第二導電類型摻雜區域和該凹槽的側壁上形成一第一鈍化層；

步驟S₅、在該第一鈍化層上形成一第一金屬層；

步驟S₆、對該第一金屬層進行化學刻蝕以去除該凹槽的側壁上的該第一金屬層以在該第一導電類型區域上形成第一電極，在該第二導電類型摻雜區域上形成第二電極。

2.如權利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，步驟S₅中還包括：在該第一金屬層上形成一第二金屬層；

步驟S₆中還包括：對該第一金屬層和該第二金屬層進行化學刻蝕以去除該凹槽的側壁上的該第一金屬層和該第二金屬層以在該第一導電類型區域上形成第一電極，在該第二導電類型摻雜區域上形成第二電極。

3.如權利要求2所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，該第一金屬層的材料為鋁，或者，

該第二金屬層的材料為鈦，和/或，該第二金屬層的厚度為小于

4.如權利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，步驟S₄之前還包括：在該襯底的正面中形成一第一導電類型摻雜層或者一第二導電類型摻雜層；

步驟S₄中還包括：在該襯底的正面的該第一導電類型摻雜層或者該第二導電類型摻雜層上形成一減反射膜，和/或，

步驟S₄中還包括：在該第一鈍化層上形成一第二鈍化層；

則步驟S₅為：在該第二鈍化層上形成該第一金屬層。

5.如權利要求4所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，步驟S₄中形成的該減反射膜是一氮化硅層。

6.如權利要求5所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，該氮化硅層通過PECVD方法形成，和/或，該氮化硅層的厚度為30-200nm。

7.如權利要求1-6中任意一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，步驟S₂中通過化學刻蝕或者物理刻蝕形成該凹槽。

8.如權利要求7所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，該化學刻蝕采用磷酸、醋酸、硝酸和水的混合物實現，或者，該物理刻蝕為等離子刻蝕或激光消融刻蝕。

9.如權利要求1-6中任意一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，該凹槽的深度為1-20μm，和/或，該第一金屬層的厚度為2-10μm，和/或，通過蒸鍍或者濺鍍形成該第一金屬層。

10.如權利要求1-6中任意一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，步驟S₁中還包括：在該襯底的正面制絨，和/或，

步驟S₆之后還包括：將步驟S₆獲得結構在小于450℃的溫度下退火。