[發明專利]半導體感光元件有效
| 申請號： | 201310050035.1 | 申請日： | 2013-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN103247708A | 公開（公告）日： | 2013-08-14 |
| 發明（設計）人： | 笹畑圭史;石村榮太郎 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L31/0735 | 分類號： | H01L31/0735 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛立群;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 感光 元件 | ||
1.一種半導體感光元件，其特征在于，具備：
InP襯底；以及
半導體層疊構造，設置在所述InP襯底上，至少具有光吸收層，
所述光吸收層具有與所述InP襯底晶格匹配的InGaAsBi層。
2.根據權利要求1所述的半導體感光元件，其特征在于，所述光吸收層由單層的所述InGaAsBi層構成。
3.根據權利要求1所述的半導體感光元件，其特征在于，所述光吸收層是交替地層疊有所述InGaAsBi層和與所述InP襯底晶格匹配的InGaAs層的多層構造。
4.根據權利要求1～3的任一項所述的半導體感光元件，其特征在于，所述半導體層疊構造還具有層疊在所述InP襯底與所述光吸收層之間的雪崩倍增層和電場緩和層。
5.根據權利要求4所述的半導體感光元件，其特征在于，所述雪崩倍增層由與所述InP襯底晶格匹配的AlInAsBi層構成。
6.根據權利要求1～3的任一項所述的半導體感光元件，其特征在于，所述InGaAsBi層的帶隙為0.7eV以下。
7.一種半導體感光元件，其特征在于，具備：
InP襯底；以及
半導體層疊構造，設置在所述InP襯底上，
所述半導體層疊構造具有在所述InP襯底上依次層疊的雪崩倍增層、電場緩和層、以及光吸收層，
所述雪崩倍增層由與所述InP襯底晶格匹配的AlInAsBi層構成。
8.根據權利要求1～3、7的任一項所述的半導體感光元件，其特征在于，
所述半導體層疊構造還具有：
半導體層，設置在所述光吸收層上，帶隙比所述光吸收層大；以及
導電區域，設置在所述半導體層的一部分。
9.根據權利要求8所述的半導體感光元件，其特征在于，以包圍所述導電區域的周圍的方式在所述半導體層疊構造中形成有槽。
10.根據權利要求1～3、7的任一項所述的半導體感光元件，其特征在于，所述半導體層疊構造在所述InP襯底與所述光吸收層之間具有多層反射膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
