[發明專利]GIS局部放電UHF檢測校驗信號注入的方法及裝置

有效

• 申請號: 201310049766.4
• 申請日: 2013-02-07
• 公開（公告）號: CN103176158A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 李興旺;盧啟付;唐志國;鄭書生;陳銳民;彭向陽;呂鴻;許鶴林
• 申請（專利權）人: 廣東電網公司電力科學研究院;華北電力大學
• 主分類號: G01R35/00
• 分類號: G01R35/00
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 周克佑

1.一種GIS局部放電UHF檢測校驗信號注入的方法，其特征是：包括以下步驟：

S1將脈沖發生器的脈沖輸出端口與發射天線的接線端子相連,脈沖發生器達到以下參數：脈沖電壓上升沿陡度小于或等于0.3ns，誤差不超過10%，脈沖電壓幅值在0～100V連續可調，調節極差1V，輸出阻抗為50Ω；

S2將發射天線及脈沖發生器放置在GIS設備外部，發射天線的輻射面放置在GIS盆式絕緣子外表面并朝向GIS內部，通過GIS筒體連接法蘭之間的盆式絕緣子向GIS內部輻射UHF電磁波信號；

所述的發射天線最大線徑R_max、最小線徑R_min的計算方法如下：

R_max＝1/2λ_max????（1）

R_min＝1/2λ_min????（2）

其中：

λ_max＝v/f_min????（3）

λ_min＝v/f_max????（4）

v=c·μrϵr---(5)]]>

λ_max、λ_min為UHF電磁波最大、最小波長，v為UHF電磁波在澆注材料內的傳播速度，f_min、f_max為UHF電磁波的最低、最高頻率，c（=3×10⁸m/s）為UHF電磁波在真空介質中的傳播速度，μ_r為澆注材料的相對磁導率，ε_r為澆注材料的相對介電常數；

所述的天線工作頻率范圍是0.3～2GHz。

2.一種專用于如權利要求1所述方法的GIS局部放電UHF檢測校驗信號注入的裝置，包括脈沖發生器和發射天線，脈沖發生器的脈沖輸出端口與發射天線的接線端子相連,其特征是：所述的發射天線結構為：矩形筒體的外殼內澆注有相對磁導率為1.0、相對介電常數為4.0的環氧樹脂材料，環氧樹脂材料將梯齒形對數周期楔形天線和饋線一起封裝，外殼筒底外設有天線接線端子，梯齒形對數周期楔形天線呈可與GIS盆式絕緣子外表面緊密接觸的部分球殼狀，天線最大線徑為0.34m，最小線徑為0.05m，寬度為40mm，輸入阻抗為50歐姆。

3.根據權利要求2所述的GIS局部放電UHF檢測校驗信號注入的裝置，其特征是：所述的天線E面和H面的半功率束寬為66度，增益為9.2dB，在工作頻率范圍內駐波比小于1.45，主瓣最大值在豎直離開頂點的方向上，發射為線極化。