[發明專利]積層復合體、半導體元件承載基板、半導體元件形成晶片、半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201310049748.6
• 申請日: 2013-02-07
• 公開（公告）號: CN103247579A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 塩原利夫;秋葉秀樹;關口晉
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/12;H01L21/56
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張永康;向勇

1.一種密封材料積層復合體，其特征在于，用于總括密封承載有半導體元件的基板的半導體元件承載面、或形成有半導體元件的晶片的半導體元件形成面；并且，包括支持晶片、及由被形成于該支持晶片的一面上的未固化的熱固化性樹脂所構成的未固化樹脂層。

2.如權利要求1所述的密封材料積層復合體，其中，前述支持晶片，與前述承載有半導體元件的基板或前述形成有半導體元件的晶片的膨脹系數的差為3ppm以下。

3.如權利要求1所述的密封材料積層復合體，其中，前述未固化樹脂層的厚度為20微米以上且2000微米以下。

4.如權利要求2所述的密封材料積層復合體，其中，前述未固化樹脂層的厚度為20微米以上且2000微米以下。

5.如權利要求1至4中任一項所述的密封材料積層復合體，其中，前述未固化樹脂層，包含在不足50℃下固體化并在50℃以上且150℃以下溶融的環氧樹脂、硅酮樹脂、及環氧硅酮混成樹脂中的任一種。

6.如權利要求1至4中任一項所述的密封材料積層復合體，其中，前述支持晶片，是將熱固化性樹脂組合物含浸于纖維基材中，并將該熱固化性樹脂組合物半固化或固化而成的樹脂含浸纖維基材；前述未固化樹脂層，是由在前述樹脂含浸纖維基材的一面上以超過200μm且2000μm以下的厚度而形成的未固化的熱固化性樹脂組合物所構成；含浸于前述纖維基材中的熱固化性樹脂組合物、及形成前述未固化樹脂層的熱固化性樹脂組合物的至少一者，含有離子捕集劑。

7.如權利要求5所述的密封材料積層復合體，其中，前述支持晶片，是將熱固化性樹脂組合物含浸于纖維基材中，并將該熱固化性樹脂組合物半固化或固化而成的樹脂含浸纖維基材；前述未固化樹脂層，是由在前述樹脂含浸纖維基材的一面上以超過200μm且2000μm以下的厚度而形成的未固化的熱固化性樹脂組合物所構成；含浸于前述纖維基材中的熱固化性樹脂組合物、及形成前述未固化樹脂層的熱固化性樹脂組合物的至少一者，含有離子捕集劑。

8.如權利要求6所述的密封材料積層復合體，其中，含浸于前述纖維基材中的熱固化性樹脂組合物、及形成前述未固化樹脂層的熱固化性樹脂組合物兩者，含有前述離子捕集劑。

9.如權利要求7所述的密封材料積層復合體，其中，含浸于前述纖維基材中的熱固化性樹脂組合物、及形成前述未固化樹脂層的熱固化性樹脂組合物兩者，含有前述離子捕集劑。

10.一種密封后半導體元件承載基板，其特征在于，

利用權利要求1至4中任一項所述的密封材料積層復合體的未固化樹脂層，來被覆已承載有半導體元件的基板的半導體元件承載面，并通過加熱、固化該未固化樹脂層，從而利用前述密封材料積層復合體而被總括密封。

11.一種密封后半導體元件承載基板，其特征在于，

利用權利要求5所述的密封材料積層復合體的未固化樹脂層，來被覆已承載有半導體元件的基板的半導體元件承載面，并通過加熱、固化該未固化樹脂層，從而利用前述密封材料積層復合體而被總括密封。

12.一種密封后半導體元件承載基板，其特征在于，

利用權利要求6所述的密封材料積層復合體的未固化樹脂層，來被覆已承載有半導體元件的基板的半導體元件承載面，并通過加熱、固化該未固化樹脂層，從而利用前述密封材料積層復合體而被總括密封。

13.一種密封后半導體元件承載基板，其特征在于，

利用權利要求7至9中任一項所述的密封材料積層復合體的未固化樹脂層，來被覆已承載有半導體元件的基板的半導體元件承載面，并通過加熱、固化該未固化樹脂層，從而利用前述密封材料積層復合體而被總括密封。

14.一種密封后半導體元件形成晶片，其特征在于，

利用權利要求1至4中任一項所述的密封材料積層復合體的未固化樹脂層，來被覆形成有半導體元件的晶片的半導體元件形成面，并通過加熱、固化該未固化樹脂層，從而利用前述密封材料積層復合體而被總括密封。

15.一種密封后半導體元件形成晶片，其特征在于，

利用權利要求5所述的密封材料積層復合體的未固化樹脂層，來被覆形成有半導體元件的晶片的半導體元件形成面，并通過加熱、固化該未固化樹脂層，從而利用前述密封材料積層復合體而被總括密封。