[發明專利]抗反射基板結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201310049411.5
• 申請日: 2013-02-07
• 公開（公告）號: CN103854996B
• 公開（公告）日: 2016-08-31
• 發明（設計）人: 林炯暐;阮政杰;陳易良;林顯杰
• 申請（專利權）人: 大同股份有限公司;大同大學
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種抗反射基板結構的制作方法，包括：

提供一硅晶片，該硅晶片具有一第一粗糙表面；

形成一抗反射光學膜于該硅晶片上，該抗反射光學膜共形地覆蓋該第一粗糙表面；

對該抗反射光學膜進行一表面處理，以使該抗反射光學膜具有一親水性表面，其中該親水性表面相對遠離該硅晶片；

于該抗反射光學膜的該親水性表面上滴上一膠體溶液，其中該膠體溶液包括一溶液以及多個納米球，該些納米球附著于該親水性表面上；以及

以該些納米球為蝕刻掩模，對該抗反射光學膜的該親水性表面進行一蝕刻制作工藝，而形成一第二粗糙表面，其中該第二粗糙表面的粗糙度不同于該第一粗糙表面的粗糙度。

2.如權利要求1所述的抗反射基板結構的制作方法，其中提供該硅晶片的步驟，包括：

提供一單晶硅硅晶片基材；以及

對該單晶硅硅晶片基材的一表面進行一蝕刻制作工藝，而形成具有該第一粗糙表面的該硅晶片。

3.如權利要求1所述的抗反射基板結構的制作方法，其中該硅晶片為一多晶硅硅晶片。

4.如權利要求1所述的抗反射基板結構的制作方法，其中形成該抗反射光學膜的方法包括等離子體輔助化學氣相沉積法、物理蒸鍍法或物理濺鍍法。

5.如權利要求1所述的抗反射基板結構的制作方法，其中該抗反射光學膜的材質包括氮化硅、氧化鋁、硫化鋅、氟化鎂或二氧化鈦。

6.如權利要求1所述的抗反射基板結構的制作方法，其中該表面處理包括以一氧等離子體進行。

7.如權利要求6所述的抗反射基板結構的制作方法，其中該氧等離子體的氧氣流量介于1sccm至100sccm之間，處理時間介于20秒至2000秒之間，而能量介于20mW/cm²至500mW/cm²。

8.如權利要求1所述的抗反射基板結構的制作方法，其中該溶液包括甲醇與水。

9.如權利要求1所述的抗反射基板結構的制作方法，其中各該納米球的材質包括聚苯乙烯。

10.如權利要求1所述的抗反射基板結構的制作方法，其中各該納米球的粒徑介于100納米至1000納米之間。

11.如權利要求1所述的抗反射基板結構的制作方法，其中該蝕刻制作工藝為一反應式離子蝕刻制作工藝。

12.如權利要求1所述的抗反射基板結構的制作方法，其中該抗反射光學膜的厚度介于100納米至1000納米之間。

13.如權利要求1所述的抗反射基板結構的制作方法，其中該第一粗糙表面的粗糙度介于100納米至10000納米之間。

14.如權利要求1所述的抗反射基板結構的制作方法，其中該第二粗糙表面的粗糙度介于10納米至100納米之間。

15.一種抗反射基板結構，包括：

硅晶片，具有一第一粗糙表面；以及

抗反射光學膜，配置于該硅晶片上，且覆蓋該第一粗糙表面，其中該抗反射光學膜具有一第二粗糙表面，且該第二粗糙表面的粗糙度不同于該第一粗糙表面的粗糙度，且該第二粗糙表面具有親水性。

16.如權利要求15所述的抗反射基板結構，其中該硅晶片包括一多晶硅硅晶片或一已蝕刻的單晶硅硅晶片。

17.如權利要求15所述的抗反射基板結構，其中該抗反射光學膜的材質包括氮化硅、氧化鋁、硫化鋅、氟化鎂或二氧化鈦。

18.如權利要求15所述的抗反射基板結構，其中該第一粗糙表面的粗糙度介于100納米至10000納米之間。

19.如權利要求15所述的抗反射基板結構，其中該第二粗糙表面的粗糙度介于10納米至100納米之間。