[發(fā)明專利]干涉濾波器、光學(xué)模塊以及電子設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310049037.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-02-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103257386A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 新東晉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 精工愛(ài)普生株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G02B5/28 | 分類號(hào): | G02B5/28;G02B26/00;G01N21/01;G01J3/02 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 干涉 濾波器 光學(xué) 模塊 以及 電子設(shè)備 | ||
1.一種干涉濾波器,其特征在于,
所述干涉濾波器具備隔著間隙而彼此相對(duì)的第一光學(xué)膜和第二光學(xué)膜,
所述第一光學(xué)膜及所述第二光學(xué)膜中至少一方具有金屬膜,
所述金屬膜的表面及邊緣部被具有導(dǎo)電性的阻隔膜覆蓋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干涉濾波器,其特征在于,
所述阻隔膜的電阻率為8×107Ω·cm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的干涉濾波器,其特征在于,
所述金屬膜的材料是Ag單質(zhì)和以Ag為主成分的合金中任一種,
所述阻隔膜是以選自由銦類氧化物、錫類氧化物及鋅類氧化物組成的組中的一個(gè)或多個(gè)物質(zhì)為主成分的膜、或者是以選自所述組中的物質(zhì)為主成分的膜層積而成的層積膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的干涉濾波器,其特征在于,
所述阻隔膜是以氧化銦錫、Al摻雜氧化鋅、Ga摻雜氧化鋅、Ce摻雜氧化銦、氧化鋅以及氧化錫中的任一個(gè)為主成分的膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的干涉濾波器,其特征在于,
所述阻隔膜接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的干涉濾波器,其特征在于,
在所述金屬膜的邊緣部設(shè)有斜面,在所述斜面上形成有所述阻隔膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的干涉濾波器,其特征在于,
所述第一光學(xué)膜、所述第二光學(xué)膜中至少一方包含所述金屬膜和用于放置所述金屬膜的其他光學(xué)膜,
從所述第一光學(xué)膜或所述第二光學(xué)膜的厚度方向俯視觀察時(shí)所述金屬膜的面積小于所述其他光學(xué)膜的面積,并在所述金屬膜和所述其他光學(xué)膜之間形成有臺(tái)階,所述阻隔膜形成為覆蓋所述臺(tái)階。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的干涉濾波器,其特征在于,
所述第一光學(xué)膜設(shè)置于第一基板,
所述第二光學(xué)膜設(shè)置于第二基板,
所述第一基板具有第一電極,
所述第二基板具有第二電極,
通過(guò)在第一電極和第二電極之間產(chǎn)生的靜電力可變地控制所述第一光學(xué)膜和所述第二光學(xué)膜之間的間隙。
9.一種光學(xué)模塊,其特征在于,包括:
權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的干涉濾波器;以及
檢測(cè)部,檢測(cè)透過(guò)了所述干涉濾波器的光的光量。
10.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括:
權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的干涉濾波器;
檢測(cè)部,檢測(cè)透過(guò)了所述干涉濾波器的光的光量;以及
處理部,根據(jù)所述檢測(cè)部檢測(cè)到的光的光量來(lái)實(shí)施分析處理。
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