[發(fā)明專利]帶有δ摻雜層的太陽能電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310048511.6
• 申請(qǐng)日: 2013-02-06
• 公開（公告）號(hào): CN103296104A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: X-Q·劉;C·M·菲澤;D·C·勞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 波音公司
• 主分類號(hào): H01L31/0352
• 分類號(hào): H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種太陽能電池，其包含：

基極區(qū)；

背面場層；以及

位于所述基極區(qū)與所述背面場層之間的δ摻雜層，其中所述δ摻雜層被設(shè)置在所述基極區(qū)與所述背面場層之間的界面處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其進(jìn)一步包含第二背面場層，其中所述δ摻雜層被設(shè)置在所述背面場層與所述第二背面場層之間。

3.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中所述δ摻雜層包含碳、硅、鍺、錫和鉛中的至少一種。

4.如權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池，其中所述背面場層包含AlGaAs或AlGaInP。

5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的太陽能電池，其中所述δ摻雜層的平均層厚度在大約1納米到大約100納米的范圍內(nèi)。

6.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中所述δ摻雜層包含濃度至少為每立方厘米1×10¹⁸個(gè)原子的摻雜物。

7.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中所述δ摻雜層包含濃度至少為每立方厘米1×10¹⁹個(gè)原子的摻雜物。

8.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中所述δ摻雜層包含濃度至少為每立方厘米1×10²⁰個(gè)原子的摻雜物。

9.如前述權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的太陽能電池，其形成為多結(jié)太陽能電池。

10.如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的太陽能電池，其進(jìn)一步包含窗口、發(fā)射極區(qū)和本征區(qū)。

11.一種用于形成如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的太陽能電池的方法，其包含以下步驟：

提供基底；

在所述基底上生長背面場層；

δ摻雜所述背面場層以形成δ摻雜層；以及

在所述δ摻雜層上方生長附加層。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述生長步驟包含以外延方式生長。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述附加層是第二背面場層和基極區(qū)中的一個(gè)。