[發明專利]控制電路及方法、阻抗調整電路及方法、阻抗自動調整電路及方法、無線電收發電路及方法

有效

• 申請號: 201310048341.1
• 申請日: 2013-02-06
• 公開（公告）號: CN103248332A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 望月聰
• 申請（專利權）人: 橫河電機株式會社
• 主分類號: H03H7/38
• 分類號: H03H7/38
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;李銘

相關申請的交叉引用?

本申請要求于2012年2月6日提交的日本專利申請第2012-023254號的優先權，其全部內容通過引用并入本文。?

技術領域

本發明涉及能夠控制電容率和磁導率中的至少一個的控制電路和控制方法。本發明還涉及阻抗調整電路、阻抗自動調整電路、無線電收發器電路、控制方法、阻抗調整方法、阻抗自動調整方法、以及無線電收發方法。?

背景技術

電容率和磁導率對諸如流經電路的信號路徑的電信號以及用于進行無線電發送或接收的無線電信號之類的信號產生預定的物理影響。例如，電容率和磁導率以改變電信號的幅度、相位、延遲等的方式影響電信號。再例如，可以通過控制電容率來控制電路的特性。在此方面，JP-A-2003-209266公開了一種通過控制電容率改變電容部件的電容的技術。?

如上所述，電容率和磁導率對電信號和無線電信號產生預定的物理影響并改變其幅度、相位、延遲等。即，如果能夠以期望方式控制電容率和磁導率，則可以對諸如電信號或無線電信號的信號賦予期望的影響。?

在JP-A-2003-209266的技術中，為了以期望的方式控制介質晶體的電容率，不僅需要向介質晶體施加能量等于介質晶體的帶隙能量的光，而且還需要向介質晶體施加電場。這需要復雜的構造和控制。?

發明內容

本發明的一個或多個示例性方面通過利用簡單的控制來控制電容率或磁導率而對信號產生期望影響。?

根據本發明的一個或多個示例性方法，提供了一種控制電路（1），其包括：單元區域（2A），其具有布置于其中的多個單元（2），每個所述單元包括：第一導體（3），其具有至少一個電容部件（C1，C2）；第二導體（4），其連接至所述第一導體并具有電感部件；以及饋線（5），其設置為與所述第一導體和所述第二導體非接觸，其中每個所述單元的尺寸小于受各所述單元影響的信號的波長；以及所述控制電路還包括至少一個饋送控制器（6），其構造為通過改變向每個所述單元的饋線提供的供電量來控制所述單元區域的電容率和磁導率中的至少一個。?

根據本發明的一個或多個示例性方面，所述第二導體形成為過孔導體，其短路至針對各個所述單元的公共電位，所述饋線與所述過孔導體非接觸。?

根據本發明的一個或多個示例性方面，所述第一導體形成為具有至少一個氣隙的近似8字形狀。?

根據本發明的一個或多個示例性方面，提供了一種阻抗調整電路（12,13,36），包括：控制電路（1）；和信號線（15,16），其與所述單元區域非接觸，其中所述控制電路構造為控制所述單元區域的電容率以便獲得傳輸通過所述信號線的信號的期望特性阻抗。?

根據本發明的一個或多個示例性方面，提供了一種阻抗自動調整電路（30），包括：阻抗調整電路（36）；檢測器（39），其構造為針對不同的供電值來檢測從所述阻抗調整電路輸出的信號的電平；以及供電值設置單元（43），其構造為在所述饋送控制器（6）中設置與所述信號的期望電平對應的供電值。?

根據本發明的一個或多個示例性方面，所述阻抗自動調整電路還包括：存儲單元（44），其構造為存儲各供電值和由所述檢測器檢測到的信號的電平，使得每個所述供電值與所述信號的電平中相應的一個相關聯。所述供電值設置單元（43）構造為在所述饋送控制器（6）?中設置存儲在所述存儲單元中的與所述信號的期望電平相對應的供電值。?

根據本發明的一個或多個示例性方面，所述阻抗自動調整電路還包括：電平控制器（40,41,42），其構造為以如下方式控制所述供電值：使得由所述檢測器檢測到的信號的電平與由所述供電值設置單元設置的供電值相對應的信號的電平一致。?

根據本發明的一個或多個示例性方面，提供了一種無線電收發器電路（51），包括：控制電路（1）；以及天線（53），其構造為發送和接收具有某一頻率的無線電信號。所述控制電路的單元區域（2A）設置在所述天線周圍。所述饋送控制器（6）以如下方式控制所述單元區域的電容率：使得允許具有所述某一頻率的無線電信號通過所述單元區域，而具有不同于所述某一頻率的頻率的無線電信號被所述單元區域反射。?

根據本發明的一個或多個示例性方面，所述控制電路（1）包括第一控制電路和第二控制電路，并且所述第一控制電路的單元區域（2A）形成在第一層上，所述第二控制電路的單元區域（2A）形成在第二層上，并且所述天線（53）形成在位于所述第一層和所述第二層之間的第三層上。?