[發(fā)明專利]核殼型磁性量子點(diǎn)納米顆粒及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310048213.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-02-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103965910A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沙印林;鄭強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C09K11/88 | 分類號(hào): | C09K11/88;B82Y30/00;B82Y20/00;B82Y25/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨;丁金玲 |
| 地址: | 100871*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 核殼型 磁性 量子 納米 顆粒 及其 制備 方法 | ||
1.一種核殼型磁性量子點(diǎn)納米顆粒,由內(nèi)核和外延生長(zhǎng)的殼層形成,所述內(nèi)核為磁性納米顆粒,粒徑大于1nm,小于20nm;所述外延生長(zhǎng)的殼層為三元素的半導(dǎo)體殼層,所述三元素的半導(dǎo)體殼層為包含II-VI族元素的三組分的半導(dǎo)體熒光殼層,殼層厚度大于0.5nm,小于5nm;所述磁性量子點(diǎn)納米顆粒為疏水性磁性量子點(diǎn)納米顆粒,其熒光量子產(chǎn)率大于1%,小于99%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性量子點(diǎn)納米顆粒,其特征在于:所述內(nèi)核為下述材料的任意一種:Fe、Co、CoO、Fe3O4、Fe2O3、FePt、CoPt,優(yōu)選Fe3O4、Fe2O3、FePt。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性量子點(diǎn)納米顆粒,其特征在于:所述II-VI族元素的三組分為CdSexS1-x、CdTexS1-x、CdTexSe1-x、CdxZn1-xSe,其中0<x<1,更優(yōu)選為CdSexS1-x、CdTexSe1-x,其中0<x<1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性量子點(diǎn)納米顆粒,其特征在于:其在常溫下具有超順磁性,飽和磁化強(qiáng)度為1-100emu/g。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性量子點(diǎn)納米顆粒,其特征在于:在450-900nm的范圍內(nèi)具有不同的光致發(fā)光譜,并且半峰寬在5-100nm的范圍內(nèi)。
6.一種制備核殼型磁性量子點(diǎn)納米顆粒的方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)以鐵或鈷的化合物為原料,以脂肪酸和/或脂肪胺為表面活性劑,采用熱分解或化學(xué)還原的方法,得到磁性納米顆粒;
(2)將磁性納米顆粒溶于高沸點(diǎn)溶劑中并在惰性氣體的保護(hù)下加熱到100-400℃,得到溶液A;
(3)將鎘的化合物以及S、Se、Te、Zn中任意兩種元素的溶液先后注入到步驟(2)中得到的溶液A中使其反應(yīng),控制溫度在100-400℃,得到磁性量子點(diǎn)納米顆粒混合物B;
(4)除去未反應(yīng)物、雜質(zhì)和反應(yīng)溶劑,得到磁性量子點(diǎn)納米顆粒。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:還包括在所述步驟(4)之后對(duì)得到的磁性量子點(diǎn)納米顆粒真空干燥的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:所述步驟(1)中,鐵的化合物是羰基鐵、乙酰丙酮鐵、氯化亞鐵或氯化鐵;所述鈷的化合物為羰基鈷、乙酰丙酮鈷或氯化鈷。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:所述步驟(1)中,鐵或鈷的化合物與脂肪酸和/或脂肪胺的摩爾比為1:(0.1-20)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:所述步驟(1)中,脂肪酸為十二酸、十四酸、十六酸、十八酸或油酸;脂肪胺為十二胺、十四胺、十六胺、十八胺或油胺。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:所述步驟(2)中,高沸點(diǎn)溶劑包括:三己胺、三辛胺、三壬胺、十八烯、二芐醚、苯基醚、二辛醚。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:所述步驟(3)中,鎘的化合物是氧化鎘、氯化鎘、碳酸鎘、二甲基鎘或硬脂酸鎘。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:在步驟(3)中,基于1mol所述無(wú)機(jī)鎘化合物,所述脂肪酸的用量為0.1-20mol,所述高沸點(diǎn)溶劑的用量為1-100ml。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:在步驟(3)中,基于1mol的鎘化合物,Se的用量為0.01-10mol,S的用量為0.01-10mol,Te的用量為0.01-10mol,Zn的用量為0.01-10mol。
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