[發(fā)明專利]原位制造本征氧化鋅層的方法及該方法制造的光伏器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310047532.6
• 申請日: 2013-02-06
• 公開（公告）號: CN103779440B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設計）人: 陳世偉;徐偉倫;嚴文材;吳忠憲;李文欽
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0749
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種制造光伏器件的方法，包括：

在襯底上方形成用于光子吸收的吸收層；

在所述吸收層之上形成緩沖層，所述吸收層和所述緩沖層都是半導體；以及

通過溶液中的水熱反應在所述緩沖層之上形成本征氧化鋅層，所述溶液包括含鋅鹽和堿性化學物質。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述吸收層是包括銅、銦、鎵和硒的半導體。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述吸收層是CuIn_xGa_(1-x)Se₂，其中，x在0至1的范圍內。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述緩沖層是n型半導體材料。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述緩沖層包括CdS或ZnS。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，從由硝酸鋅、乙酸鋅、氯化鋅、硫酸鋅、它們的組合以及它們的水合物所組成的組中選擇用于沉積所述本征氧化鋅層的所述溶液中的所述含鋅鹽。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述含鋅鹽是硝酸鋅或乙酸鋅。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，從由氨、胺和酰胺所組成的組中選擇用于沉積所述本征氧化鋅層的所述溶液中的所述堿性化學物質。

9.一種制造光伏器件的方法，包括：

形成包括CuIn_xGa_(1-x)Se₂的用于光子吸收的吸收層，其中，x在0至1的范圍內；

在所述吸收層之上形成包括CdS或ZnS的緩沖層；以及

在50℃至100℃的范圍內的溫度下，通過包括含鋅鹽和堿性化學物質的溶液中的水熱反應將本征氧化鋅層直接形成在所述緩沖層上，

其中，所述本征氧化鋅層的厚度小于140nm。

10.一種光伏器件，包括：

吸收層，位于襯底上方并用于光子吸收；

緩沖層，設置在所述吸收層之上，所述吸收層和所述緩沖層都是半導體；以及

本征氧化鋅層，厚度小于140nm并設置在所述緩沖層之上。