[發(fā)明專利]晶體生長(zhǎng)溫度梯度測(cè)試方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310047197.X | 申請(qǐng)日: | 2013-02-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103074670A | 公開(公告)日: | 2013-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王佳麒;李佼;高興 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 元亮科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C30B11/00 | 分類號(hào): | C30B11/00 |
| 代理公司: | 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 32104 | 代理人: | 殷紅梅 |
| 地址: | 214037 江蘇省無(wú)錫市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶體生長(zhǎng) 溫度梯度 測(cè)試 方法 | ||
1.?一種晶體生長(zhǎng)溫度梯度測(cè)試方法,其特征是,包括以下步驟:
(1)向單晶生長(zhǎng)爐內(nèi)的坩堝中裝入原料,坩堝外罩設(shè)保溫罩,對(duì)單晶生長(zhǎng)爐進(jìn)行抽真空至1.0×10-3~1.0×10-4Pa;
(2)對(duì)單晶生長(zhǎng)爐內(nèi)的發(fā)熱體通電,對(duì)坩堝內(nèi)的原料進(jìn)行加熱,至原料完全熔融得到熔體后,降溫直至下種溫度,恒溫2~3小時(shí);記下此時(shí)發(fā)熱體的電流I及電勢(shì)U,作為溫度梯度檢測(cè)時(shí)的參考值;?
(3)將籽晶提離熔體的液面,降溫開爐;開爐后,將籽晶桿更換成內(nèi)部裝有鉑-銠熱電偶的雙孔陶瓷管,將陶瓷管內(nèi)部鉑-銠熱電偶的引線與島電控制表連接,以測(cè)試實(shí)時(shí)溫度;
(4)重復(fù)步驟(2),并使發(fā)熱體的電流及電勢(shì)分別為I和U;
(5)軸向溫度測(cè)試:將雙孔陶瓷管的底端下移至離坩堝口60~70mm高度處,該位置為檢測(cè)軸向溫度的初始位置;從初始位置開始,每間隔3~5mm測(cè)量一次溫度,每次停留10~20min島電控制表顯示的數(shù)值即為該位置的軸向?qū)崟r(shí)溫度,記錄該溫度Tn,n為正整數(shù);當(dāng)雙孔陶瓷管底部距離熔體液面2~5mm處時(shí),檢測(cè)結(jié)束;得到多組軸向溫度Tn;
(6)徑向溫度測(cè)試:選擇坩堝上方一水平面為基準(zhǔn)水平面,將雙孔陶瓷管底端移至距離保溫罩左側(cè)內(nèi)壁10~15mm處,該位置為檢測(cè)徑向溫度的初始位置;從初始位置開始,沿保溫罩的徑向每間隔3~5mm,將雙孔陶瓷管水平右移一次并測(cè)量溫度,每次停留10~20min島電控制表顯示的數(shù)值即為該位置的徑向?qū)崟r(shí)溫度,記錄該溫度Tn’,n為正整數(shù);當(dāng)雙孔陶瓷管底部距離保溫罩右側(cè)內(nèi)壁10~15mm處時(shí),檢測(cè)結(jié)束,得到多組徑向溫度Tn’。
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