[發(fā)明專利]卷對(duì)卷式原子層沉積設(shè)備及其使用方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310046772.4
• 申請(qǐng)日: 2013-02-05
• 公開（公告）號(hào): CN103966572A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王東君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 王東君
• 主分類號(hào): C23C16/44
• 分類號(hào): C23C16/44;C23C16/455;C23C16/54
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 張穎玲;孟桂超

1.一種卷對(duì)卷式原子層沉積設(shè)備，其特征在于，包括：

用于傳動(dòng)帶狀的待沉積樣品的至少兩個(gè)卷筒裝置；

用于向所述卷筒裝置輸出動(dòng)力的動(dòng)力裝置，所述動(dòng)力裝置與所述卷筒裝置聯(lián)接；

反應(yīng)腔體，所述反應(yīng)腔體的內(nèi)部具有多個(gè)氣道、以及與所述氣道的方向相交的用于所述待沉積樣品穿過(guò)的通道，所述反應(yīng)腔體上具有與多個(gè)所述氣道相對(duì)應(yīng)的多個(gè)進(jìn)氣口以及出氣口。

2.如權(quán)利要求1所述的卷對(duì)卷式原子層沉積設(shè)備，其特征在于，所述反應(yīng)腔體為多個(gè)。

3.如權(quán)利要求2所述的卷對(duì)卷式原子層沉積設(shè)備，其特征在于，多個(gè)所述反應(yīng)腔體以獨(dú)立分布的方式間隔設(shè)置。

4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的卷對(duì)卷式原子層沉積設(shè)備，其特征在于，該設(shè)備還包括用于加熱所述待沉積樣品的加熱裝置。

5.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的卷對(duì)卷式原子層沉積設(shè)備，其特征在于，該設(shè)備還包括用于去除反應(yīng)生成的副產(chǎn)物的抽氣裝置、以及用于回收剩余反應(yīng)物的回收裝置。

6.一種卷對(duì)卷式原子層沉積設(shè)備，其特征在于，該設(shè)備包括反應(yīng)腔體，所述反應(yīng)腔體的內(nèi)部設(shè)置有用于傳動(dòng)帶狀的待沉積樣品的至少兩個(gè)卷筒裝置、以及與所述卷筒裝置聯(lián)接的用于向所述卷筒裝置輸出動(dòng)力的動(dòng)力裝置，所述反應(yīng)腔體的內(nèi)部還設(shè)置有多個(gè)氣道、以及與所述氣道的方向相交的用于所述待沉積樣品穿過(guò)的通道，所述反應(yīng)腔體上具有與多個(gè)所述氣道相對(duì)應(yīng)的多個(gè)進(jìn)氣口以及出氣口。

7.如權(quán)利要求6所述的卷對(duì)卷式原子層沉積設(shè)備，其特征在于，該設(shè)備還包括用于加熱所述待沉積樣品的加熱裝置。

8.如權(quán)利要求6所述的卷對(duì)卷式原子層沉積設(shè)備，其特征在于，該設(shè)備還包括用于去除反應(yīng)生成的副產(chǎn)物的抽氣裝置、以及用于回收剩余反應(yīng)物的回收裝置。

9.如權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的卷對(duì)卷式原子層沉積設(shè)備，其特征在于，該設(shè)備還包括設(shè)置于提供空氣的氣道前的用于過(guò)濾空氣的過(guò)濾裝置。

10.一種根據(jù)上述權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的卷對(duì)卷式原子層沉積設(shè)備的原子層沉積方法。

11.如權(quán)利要求10所述原子層沉積方法，其特征在于，該方法利用空氣中的水分子與反應(yīng)物反應(yīng)，在待沉積樣品上形成氧化物薄膜。