[發明專利]一種在硅基底刻蝕通孔的方法在審
| 申請號： | 201310046733.4 | 申請日： | 2013-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN103972155A | 公開（公告）日： | 2014-08-06 |
| 發明（設計）人： | 許頌臨 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基底 刻蝕 方法 | ||
1.一種在硅基底刻蝕通孔的方法，所述硅基底表面涂覆有光刻膠掩膜層，所述的刻蝕方法在等離子體刻蝕室內進行，其特征在于：所述方法包括下列步驟：提供含氟的第一氣體到等離子體刻蝕室內，所述第一氣體用于對硅基底進行刻蝕；提供含硅的第二氣體到等離子體刻蝕室內，所述的第二氣體還包括碳氧化合物，所述第二氣體中O2含量小于5%。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的碳氧化合物為CO、CO2中的一種或兩種的混合氣體，所述CO或/和CO2流量為50sccm-300sccm。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述含氟的第一氣體包括SF6或NF3中的一種或兩種的混合氣體，所述SF6或/和NF3的氣體流量范圍為100sccm-500sccm。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二氣體包括SiF4、SiCl4中的一種或兩種的混合氣體，所述SiF4和/或SiCl4的氣體流量范圍為50sccm-300sccm。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二氣體中所述碳氧化合物氣體的比例和所述含硅氣體的比例為4:1—1:1。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二氣體包括NO、NO2中的一種或兩種的混合氣體。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一氣體包括Cl2、HBr中的一種或兩種的混合氣體，所述Cl2和/或HBr的氣體流量范圍為50sccm-200sccm。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的等離子體刻蝕室為電感耦合等離子體刻蝕室或電子回旋共振刻蝕室。
9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于：所述的等離子體刻蝕室內的高頻功率源的功率范圍為500w-1000w，低頻功率源的功率范圍為50w-100w，所述等離子體刻蝕室內的壓力范圍為20mT-100mT。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一氣體和第二氣體同時注入等離子體刻蝕室內。
11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一氣體和第二氣體交替注入等離子體刻蝕室內。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中微半導體設備（上海）有限公司，未經中微半導體設備（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310046733.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
