[發(fā)明專利]陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310046310.2
• 申請日: 2013-02-05
• 公開（公告）號: CN103137557A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設計）人: 許宗義
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一基板；

于所述基板上形成源極、漏極、驅動電極和第一電容電極；

形成第一介電層，所述第一介電層覆蓋所述源極、所述漏極、所述驅動電極和所述第一電容電極，所述第一介電層包括覆蓋所述第一電容電極的第一區(qū)域和覆蓋所述驅動電極的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域的厚度大于所述第一區(qū)域的厚度，所述第二區(qū)域用于在其上形成玻璃熔膠；

于所述第一介電層的所述第一區(qū)域上形成第二電容電極，所述第二電容電極、所述第一電容電極以及其間的所述第一介電層形成第一電容。

2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一區(qū)域的厚度為200~1000埃，所述第二區(qū)域的厚度為1000~8000埃。

3.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述形成第一介電層的步驟之后進一步包括：

于所述第一介電層上形成像素電極，所述像素電極連接所述源極；

于所述第一介電層上形成有機材料層，所述有機材料層覆蓋所述第二電極板，所述像素電極裸露出所述有機材料層；

于所述有機材料層上形成若干凸出的間隔裝置。

4.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述于所述基板上形成源極、漏極、驅動電極和第一電容電極的步驟包括：

于所述基板上形成第二介電層；

于所述第二介電層上形成半導體層和第三電容電極；

形成第三介電層，所述第三介電層形成于所述第二介電層上且覆蓋所述半導體層和所述第三電容電極；

于所述第三介電層上形成柵極和第四電容電極，所述柵極和所述半導體層正對，所述第四電容電極、所述第三電容電極以及其間的所述第三介電層形成第二電容；

形成第四介電層，所述第四介電層形成于所述第三介電層上且覆蓋所述柵極和所述第四電容電極；

于所述第四介電層上形成所述源極、所述漏極、所述第一電容電極和所述驅動電極，所述源極和所述漏極均連接至所述半導體層。

5.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括基板、驅動電極、第一電容、源極、漏極和第一介電層，所述第一電容包括第一電容電極和第二電容電極，所述源極、所述漏極、所述驅動電極和所述第一電容電極形成于所述基板上，所述第一介電層覆蓋所述源極、所述漏極、所述驅動電極和所述第一電容電極，所述第一介電層包括覆蓋所述第一電容電極的第一區(qū)域和覆蓋所述驅動電極的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域的厚度大于所述第一區(qū)域的厚度，所述第二區(qū)域用于在其上形成玻璃熔膠，所述第二電容電極形成于所述第一區(qū)域上。

6.根據(jù)權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一區(qū)域的厚度為200~1000埃，所述第二區(qū)域的厚度為1000~8000埃。

7.根據(jù)權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板進一步包括像素電極、有機材料層和間隔裝置，所述像素電極形成于所述第一介質層上且連接所述源極，所述有機材料層位于所述第一介電層上且覆蓋所述第二電極板，所述像素電極裸露出所述有機材料層，所述間隔裝置于所述有機材料層上凸出設置。

8.根據(jù)權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電容電極是金屬材料或透明導電材料。

9.根據(jù)權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板進一步包括第二介電層、半導體層、第三介電層、柵極、第四介電層和第二電容，所述第二電容包括第三電容電極和第四電容電極，所述第二介電層形成于所述基板上，所述半導體層和所述第三電容電極位于所述第二介電層和所述第三介電層之間，所述柵極和所述第四電容電極位于所述第三介電層和所述第四介電層之間，所述源極和所述柵極均與所述半導體層連接。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求5~9項任意一項所述的陣列基板。