[發明專利]表面修飾功能性基團的金磁納米微粒的制備方法

有效

• 申請號: 201310046033.5
• 申請日: 2013-02-05
• 公開（公告）號: CN103111614A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 崔亞麗;楊冬;惠文利
• 申請（專利權）人: 西安金磁納米生物技術有限公司
• 主分類號: B22F1/00
• 分類號: B22F1/00
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 陳廣民

1.表面修飾功能性基團的金磁納米微粒的制備方法，包括以下步驟：

（1）表面活性劑預分散以制備Fe₃O₄/Au核殼型金磁納米微粒

將Fe₃O₄/Au/Fe₃O₄金磁納米復合微粒與表面活性劑混合均勻，加入適量鹽酸，調節pH值為1~4，并于200rpm攪拌均勻。反應1~2h后，磁性分離去除上清，洗滌沉淀三次，得到表面正電荷的Fe₃O₄/Au核殼型金磁納米微粒。

（2）對Fe₃O₄/Au核殼型金磁納米微粒進行聚合物表面修飾

將步驟（1）制備得到的表面正電荷的Fe₃O_4/Au核殼型金磁納米微粒與包含所要修飾功能性基團的高分子聚合物溶液混合，并200rpm攪拌均勻；反應完畢后，磁性分離，得到沉淀物，將沉淀物用超純水洗滌三次，以緩沖液重懸，制備得到表面修飾功能性基團的金磁納米微粒。

2.根據權利要求1所述的表面修飾功能性基團的金磁納米微粒的制備方法，其特征在于：步驟（1）中所述的表面活性劑為二甲基二十八烷基溴化銨(DOAB)、三-十八烷基甲基溴化銨(TOAB)、十八烷基三甲基溴化銨(STAB)、十六烷基三甲基溴化銨（CTAB），濃度為5~100mmol/L。

3.根據權利要求2所述的表面修飾功能性基團的金磁納米微粒的制備方法，其特征在于：所述十六烷基三甲基溴化銨濃度為5~50mmol/L；調節pH值為1.0~4.0，攪拌10min。

4.根據權利要求3所述的表面修飾功能性基團的金磁納米微粒的制備方法，其特征在于：步驟（2）中所述高分子聚合物為帶有負電荷，且含有羧基的聚合物，Fe₃O₄/Au/Fe₃O₄金磁納米微粒直徑：高分子聚合物分子量=1nm：100~500g/mol。

5.根據權利要求4所述的表面修飾功能性基團的金磁納米微粒的制備方法，其特征在于：步驟（1）采用直徑為30nm的Fe₃O₄/Au/Fe₃O₄金磁納米微粒，步驟（2）采用的高分子聚合物分子量在3000~15000g/mol。

6.根據權利要求1至5任一所述的表面修飾功能性基團的金磁納米微粒的制備方法，其特征在于：所述高分子聚合物為1-十八烯馬來酸酐、聚丙烯酸、聚丁基丙烯酸鈉、聚（3-噻吩乙酸鈉）或聚甲基丙烯酸。

7.根據權利要求6所述的表面修飾功能性基團的金磁納米微粒的制備方法，其特征在于：所采用的聚丙烯酸與Fe₃O₄/Au/Fe₃O₄金磁納米微粒的質量比為1：0.1~1：2。

8.根據權利要求7所述的表面修飾功能性基團的金磁納米微粒的制備方法，其特征在于：所采用的聚丙烯酸與Fe₃O₄/Au/Fe₃O₄金磁納米微粒的質量比為1：0.2。