[發明專利]ITO薄膜濺射工藝方法及ITO薄膜濺射設備

有效

• 申請號: 201310045824.6
• 申請日: 2013-02-05
• 公開（公告）號: CN103966557A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 耿波;葉華;文利輝;楊玉杰;夏威;王厚工;丁培軍
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成;黃德海

1.一種ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）在向反應腔內通入工藝氣體之前，控制直流濺射電源的輸出電壓為預定電壓，并通過所述直流濺射電源對靶材施加預定功率；

2）在預定時間之后向所述反應腔內通入工藝氣體，以使所述工藝氣體在所述反應腔內啟輝；和

3）在所述啟輝之后，通過所述直流濺射電源對所述靶材施加濺射功率以進行濺射，所述濺射功率大于等于所述預定功率且小于等于所述濺射電源的額定功率。

2.根據權利要求1所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，所述預定功率為300W。

3.根據權利要求2所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，所述直流濺射電源的預定電壓為800V。

4.根據權利要求2所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，所述直流濺射電源的預定電壓為300V。

5.根據權利要求3所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，所述啟輝過程中的啟輝電壓為324V。

6.根據權利要求1所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，所述預定時間為3-6秒。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，在所述啟輝和所述濺射過程中，所述反應腔內的工藝氣體壓力為2-5毫托。

8.根據權利要求7所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，所述工藝氣體壓力為2.8毫托。

9.一種ITO薄膜濺射設備，其特征在于，包括：反應腔，所述反應腔包含頂壁、基片支撐部件和靶材，所述靶材設置于所述頂壁且與設在所述反應腔室底部的基片支撐部件相對，其特征在于，還包括直流濺射電源，所述直流濺射電源耦接于所述靶材，其中在向所述反應腔內通入工藝氣體之前，控制直流濺射電源的輸出電壓為預定電壓，所述直流濺射電源對靶材施加預定功率，在預定時間之后向所述反應腔內通入工藝氣體，以使所述工藝氣體在所述反應腔內啟輝，以及在所述啟輝之后通過所述直流濺射電源對所述靶材施加濺射功率以進行濺射，所述濺射功率大于等于所述預定功率且小于等于所述濺射電源的額定功率。

10.根據權利要求9所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，所述預定功率為300W。

11.根據權利要求10所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，所述直流濺射電源的預定電壓為800V。

12.根據權利要求10所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，所述直流濺射電源的預定電壓為300V。

13.根據權利要求11所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，所述啟輝過程中的啟輝電壓為324V。

14.根據權利要求9所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，所述預定時間為3-6秒。

15.根據權利要求9-14中任一項所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，在所述啟輝和所述濺射過程中，所述反應腔內的工藝氣體壓力為2-5毫托。

16.根據權利要求15所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，所述工藝氣體壓力為2.8毫托。