[發明專利]基于窄帶干涉濾光片和主動標志器實現的適配系統

有效

• 申請號: 201310045732.8
• 申請日: 2013-02-05
• 公開（公告）號: CN103116200A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 李金宗;朱兵;李冬冬;周東平
• 申請（專利權）人: 李金宗
• 主分類號: G02B5/28
• 分類號: G02B5/28;H04N5/225
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 滿靖

1.一種基于窄帶干涉濾光片和主動標志器實現的適配系統，其特征在于：它包括窄帶干涉濾光片、主動標志器、攝像裝置，該窄帶干涉濾光片置于該攝像裝置的鏡頭前，該攝像裝置與成像處理設備連接，工作在近紅外波段的該主動標志器與該攝像裝置的鏡頭相距的距離處于設定距離范圍內，入射該窄帶干涉濾光片的光束經由該窄帶干涉濾光片濾光后被該攝像裝置采集，其中：該窄帶干涉濾光片的通帶中心波長近似等于該主動標志器的峰值波長。

2.如權利要求1所述的適配系統，其特征在于：

所述窄帶干涉濾光片包括由石英玻璃材料制成的基片，在該基片的上、下表面上分別鍍制主峰膜系、截次峰膜系，其中：該主峰膜系為四半波膜系；該截次峰膜系為截次峰膜堆。

3.如權利要求2所述的適配系統，其特征在于：

所述主峰膜系為二氧化硅膜層、五氧化二鈮膜層交替層疊而成，所述主峰膜系由至少48層膜層構成，每層該二氧化硅膜層的層厚與所述窄帶干涉濾光片四分之一通帶中心波長的比值介于0.5至1.5之間，每層該五氧化二鈮膜層的層厚與所述窄帶干涉濾光片四分之一通帶中心波長的比值介于0.5至3.0之間；

所述截次峰膜系為二氧化硅膜層、五氧化二鈮膜層交替層疊而成，所述截次峰膜系由至少118層膜層構成，每層該二氧化硅膜層的層厚與所述窄帶干涉濾光片四分之一通帶中心波長的比值介于0.2至2.0之間，每層該五氧化二鈮膜層的層厚與所述窄帶干涉濾光片四分之一通帶中心波長的比值介于0.1至2.0之間。

4.如權利要求2或3所述的適配系統，其特征在于：

在所述窄帶干涉濾光片的四周側壁上涂敷黑色消光漆。

5.如權利要求1所述的適配系統，其特征在于：

所述主動標志器朝向所述窄帶干涉濾光片輻射呈圓錐形的近紅外光，所述主動標志器為至少三個近場主動標志器和/或至少三個遠場主動標志器。

6.如權利要求2所述的適配系統，其特征在于：

當考慮所述窄帶干涉濾光片的斜入射漂移和所述主動標志器的溫度效應因素影響時，在所述主動標志器的發光器件處于室溫及令光束準直入射窄帶干涉濾光片的工作面的情況下，根據下式對所述窄帶干涉濾光片的通帶中心波長進行斜入射補償，

λ00=2λp0+TKλP×(Tmax+Tmin-2T0)1+1-(n0sinθmaxe)2]]>

在上式中，T_max為溫度上限，T_min為溫度下限，T₀為室溫，n₀為所述窄帶干涉濾光片的基片的折射率，e為與所述窄帶干涉濾光片的膜層材料和膜系相關的參數，n_H>e>n_L，n_H為所述主峰膜系、截次峰膜系中的五氧化二鈮膜層的折射率，n_L為所述主峰膜系、截次峰膜系中的二氧化硅膜層的折射率，θ_max為傾斜入射所述窄帶干涉濾光片的工作面的光束的最大斜入射角，T_Kλp為所述主動標志器的發光器件的溫度系數，λ₀₀為光束準直入射所述窄帶干涉濾光片的工作面時所述窄帶干涉濾光片的通帶中心波長，λ_p0為所述主動標志器在室溫時的峰值波長。