[發(fā)明專利]一種金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310045571.2
• 申請日: 2013-02-05
• 公開（公告）號: CN103088386A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡秀蘭
• 申請（專利權(quán)）人: 南京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: C25D11/02
• 分類號: C25D11/02;B82Y40/00
• 代理公司: 北京金智普華知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401
• 代理人: 于永進

1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料的制備方法，包括以下步驟：取目標(biāo)金屬作為兩個相對的電極，連接脈沖直流電源形成放電回路，并將兩電極以相對且保持一定間距的位置浸沒在水中；在保持?jǐn)嚢璧那闆r下，連通電路以使兩電極之間產(chǎn)生高能量等離子體；依據(jù)產(chǎn)量要求控制反應(yīng)時間，待放電結(jié)束后，溶液經(jīng)過濾或離心分離、干燥即得到對應(yīng)的金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料。

2.權(quán)利要求1所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料的制備方法，具體包括以下步驟：

1）金屬電極對的準(zhǔn)備

選取兩根直徑相同的金屬棒，然后在兩根金屬棒外套上內(nèi)徑與金屬棒直徑相同的氧化鋁絕緣管，接著將其固定在內(nèi)徑與氧化鋁絕緣管外徑相同的特氟龍管中，即得到金屬反應(yīng)電極；

然后，將金屬反應(yīng)電極以水平相對的位置通過容器壁上的孔安裝到絕緣容器上，兩電極之間間距在0.1-1mm，電極之間夾角為180°，連接脈沖直流電源以形成放電回路；

2）金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料的制備

在步驟1的絕緣容器中加入水，確保金屬電極對被水浸沒且水面到電極的距離大于10mm；在體系保持?jǐn)嚢璧那闆r下，連通電路，通過電源控制儀表盤選定脈沖頻率和脈沖寬度，調(diào)節(jié)電壓直到電極之間等離子體產(chǎn)生；固定上述電壓、脈沖頻率和脈沖寬度，在等離子放電過程中調(diào)整電極對之間間距以使其保持不變，確保等離子體持續(xù)產(chǎn)生；持續(xù)放電5分鐘以上，放電結(jié)束后將所得到的溶液繼續(xù)攪拌10分鐘以上，然后經(jīng)過濾或離心分離、干燥即得到具有獨特形貌的金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料。

3.權(quán)利要求2所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料的制備方法，其特征在于，所述金屬為銅，所述金屬氧化物為氧化銅。

4.權(quán)利要求2所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料的制備方法，其特征在于，所述金屬為鋅，所述金屬氧化物為氧化鋅。

5.權(quán)利要求2所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料的制備方法，其特征在于，使用金屬線代替金屬棒。

6.權(quán)利要求2或5所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料的制備方法，其特征在于，金屬棒或線的直徑為0.5-5mm，優(yōu)選1-2mm。

7.權(quán)利要求2所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料的制備方法，其特征在于，所述絕緣容器是玻璃容器。

8.權(quán)利要求2所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料的制備方法，其特征在于，兩電極之間間距優(yōu)選0.1-0.5mm，更優(yōu)選0.2-0.4mm。

9.權(quán)利要求2所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料的制備方法，其特征在于，脈沖頻率為5-50kHz，優(yōu)選10-30kHz；脈沖寬度為0.5-5μs，優(yōu)選1-3μs。