[發明專利]增強灌電流并驅動電容負載的CMOS放大器

無效

• 申請號: 201310045539.4
• 申請日: 2013-02-06
• 公開（公告）號: CN103166584A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 包興坤
• 申請（專利權）人: 蘇州硅智源微電子有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45;H03K19/0185
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種增強灌電流并驅動電容負載的CMOS放大器，其特征是：第一和第二個雙極晶體管的集電極連接到第一個電壓，它們的基極相連以接收輸入信號；

一個差分放大電路有第一和第二個輸入、一個輸出；

上述第一個雙極晶體管的發射極連接到差分放大電路的一個輸入，第二個雙極晶體管的的發射極連接到另一個輸入；

第一個MOS晶體管有源極、柵極和漏極，其中漏極連接到上述第二個雙極晶體管的發射極，源極連接到第二個電壓，柵極連接到上述差分放大器的輸出；

第一個固定的電流源連接在上述第一個雙極晶體管的發射極和第二個電壓之間；

第二個MOS晶體管有源極、柵極和漏極，其中漏極連接到上述第一個雙極晶體管的發射極，源極連接到第二個電壓，從而第二個MOS晶體管與上述第一個固定的電流源并聯，第二個MOS晶體管的柵極連接到上述差分放大器的輸出，上述第一個雙極晶體管的基極-發射極電壓隨著通過第一個MOS晶體管電流的增加而增加，由于一個增加的灌電流，上述第二個雙極晶體管V_BE的減小得到抵消。

2.根據權利要求1所述的一種增強灌電流并驅動電容負載的CMOS放大器，其特征是：上述第一個雙極晶體管的發射極和第二個MOS晶體管之間可以連接一個電阻。

3.根據權利要求1所述的一種增強灌電流并驅動電容負載的CMOS放大器，其特征是：上述第二個雙極晶體管的發射極與第一個MOS晶體管的漏極形成的節點和電路輸出端之間可以連接一個電阻；

第三個雙極晶體管的集電極連接到上述第一個電壓，發射極連接到上述差分放大器的第一個輸入，從而第三個雙極晶體管與上述第一個雙極晶體管并聯，第三個雙極晶體管的基極連接到電路的輸出。

4.根據權利要求1所述的一種增強灌電流并驅動電容負載的CMOS放大器，其特征是：上述差分放大電路包括第一和第二個CMOS晶體管對。