[發明專利]一種基于非N型InP襯底的雪崩光電二極管及其制備方法

無效

• 申請號: 201310045389.7
• 申請日: 2013-02-05
• 公開（公告）號: CN103107231A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 岳愛文;胡艷;李晶;王任凡
• 申請（專利權）人: 武漢電信器件有限公司
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 張若華

1.一種基于非N型InP襯底的雪崩光電二極管，包括InP襯底，所述InP襯底表面依次生長有緩沖層、擴散阻擋層、雪崩倍增層、電場控制層、漸變層、光吸收層、窗口層和接觸層，其特征在于：所述的InP襯底為p型襯底或半絕緣襯底，所述的擴散阻擋層能降低緩沖層中摻雜原子向雪崩倍增層中的擴散，所述窗口層為半絕緣InP窗口層，所述的窗口層的中心具有通過擴散形成的導電區，所述的接觸層位于導電區上方，所述窗口層在導電區的外部具有環形溝道，所述的窗口層上方形成有介質絕緣層。

2.根據權利要求1所述的基于非N型InP襯底的雪崩光電二極管，其特征在于，所述環形溝道的深度滿足至少到達襯底、緩沖層或擴散阻擋層的上方。

3.根據權利要求2所述的基于非N型InP襯底的雪崩光電二極管，其特征在于，所述InP襯底的另一側表面具有增透膜，所述的介質絕緣層對應環形溝道的外圍表面具有第二接觸金屬層，所述環形溝道內壁及底部均具有介質絕緣層，所述的環形溝道的外側內壁以及溝道的底部在介質絕緣層的上方還均具有第二接觸金屬層。

4.根據權利要求3所述的基于非N型InP襯底的雪崩光電二極管，其特征在于，所述InP襯底的另一側表面的中心位置具有增透膜，其余位置具有第二接觸金屬層。

5.根據權利要求2所述的基于非N型InP襯底的雪崩光電二極管，其特征在于，所述擴散阻擋層為p型擴散阻擋層，p型擴散阻擋層為AlInAs、AlGaInAs或InGaAsP，摻雜原子為C摻雜。

6.一種基于非N型InP襯底的雪崩光電二極管的制備方法，其特征在于，包括以下幾個步驟：

（1）在InP襯底表面上依次生長緩沖層、擴散阻擋層、雪崩倍增層、電場控制層、漸變層、光吸收層、窗口層和接觸層；

（2）在窗口層表面的中心位置形成導電區；

（3）對應導電區的大小將接觸層邊緣的多余部分進行腐蝕去除；

（4）在處于導電區以外的窗口層部分形成環形溝道，所述環形溝道的深度滿足至少到達襯底或緩沖層的上方；

（5）在窗口層上方以及環形溝道的內壁及底部上形成介質絕緣層，并在介質絕緣層的中心位置進行光刻，然后蒸發形成第一接觸金屬層；

（6）在InP襯底的另一側表面沉積增透膜。

7.根據權利要求6所述的基于非N型InP襯底的雪崩光電二極管的制備方法，其特征在于，所述步驟（6）之后還包括一個步驟：在增透膜的中心位置旋涂光刻膠，然后蒸發金屬層，最終形成中心位置具有增透膜，外圍具有第二接觸金屬層。