[發(fā)明專利]具有反射鏡結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光器件及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310045284.1
• 申請日: 2013-02-05
• 公開（公告）號: CN103117343A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏臻;孫智江
• 申請（專利權(quán)）人: 海迪科（南通）光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 蘇州廣正知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32234
• 代理人: 張漢欽

1.一種具有反射鏡結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光器件，包括具有緩沖層的半導(dǎo)體襯底外延片，所述的半導(dǎo)體襯底上預(yù)定區(qū)域內(nèi)形成有透明導(dǎo)電層，所述的緩沖層、透明導(dǎo)電層上方具有金屬反射鏡結(jié)構(gòu)與電極，其特征在于：所述的緩沖層、透明導(dǎo)電層上方自下而上形成有第一鈍化層、第一氧化層、金屬反射鏡結(jié)構(gòu)、第二氧化層、第二鈍化層的層狀結(jié)構(gòu)，所述的第一氧化層用于增加第一鈍化層、金屬反射鏡結(jié)構(gòu)之間粘附性，所述的第二氧化層用于增加金屬反射鏡結(jié)構(gòu)與第二鈍化層之間粘附性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有反射鏡結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光器件，其特征在于：所述的透明導(dǎo)電層位于電極下方。

3.一種用于制備如權(quán)利要求1或2所述的具有反射鏡結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光器件的制備方法，包括如下工藝步驟：

a)?提供一具有緩沖層的半導(dǎo)體襯底外延片，所述的半導(dǎo)體襯底上預(yù)定區(qū)域內(nèi)形成有透明導(dǎo)電層；

b)?在所述的緩沖層、透明導(dǎo)電層上方依次形成第一鈍化層、第一氧化層；

c)?在所述的第一氧化層上方制作金屬反射鏡結(jié)構(gòu)；

d)?在所述的金屬反射鏡結(jié)構(gòu)上方依次形成第二氧化層、第二鈍化層；

e)?制作電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有反射鏡結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述的第一氧化層、第二氧化層的材料為所述的金屬反射鏡結(jié)構(gòu)材料的對應(yīng)氧化物。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有反射鏡結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述的第一氧化層、第二氧化層的材料包括Al₂O₃。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有反射鏡結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述的金屬反射鏡結(jié)構(gòu)的材料包括銀。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有反射鏡結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述的透明導(dǎo)電層包括ITO、NiAu或AZO材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有反射鏡結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述的第一鈍化層、第二鈍化層的材料包括SiO₂、SiN。