[發明專利]一種LED金屬引線框架及其制造方法

有效

• 申請號: 201310044640.8
• 申請日: 2013-02-04
• 公開（公告）號: CN103972373B
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 夏勛力;李程;唐永成;吳廷;麥家兒
• 申請（專利權）人: 佛山市國星光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62
• 代理公司: 廣州駿思知識產權代理有限公司44425
• 代理人: 吳靜芝

1.一種LED金屬引線框架的制造方法，包括如下步驟：

步驟S10：對金屬帶進行腐蝕，形成金屬引線框架；

步驟S20：對金屬引線框架進行粗化處理；

其特征在于：所述步驟S10包括步驟：延平金屬帶，在金屬帶前后表面覆蓋一防蝕層或覆蓋一防蝕模具，然后對所述防蝕層或防蝕模具以外的金屬帶進行蝕刻，形成金屬引線框架；所述步驟S20包括步驟：不移走所述防蝕層或防蝕模具，對所述金屬引線框架的側面進行粗化處理，然后去除所述防蝕層或防蝕模具；還包括步驟S30：首先對該金屬引線框架電鍍一第一銀層，然后再在該第一銀層的表面電鍍一第二銀層，該第二銀層的厚度大于該第一銀層；

該步驟S30中電鍍第一銀層的電鍍電流的密度為0.2-0.5A/dm²，鍍液的溫度為40-80℃；或/和該步驟S30中電鍍第二銀層的電鍍電流的密度為0.5-2A/dm²，鍍液的溫度為40-80℃。

2.根據權利要求1所述的LED金屬引線框架的制造方法，其特征在于：該第一銀層的厚度為1～1.5μm之間。

3.根據權利要求1所述的LED金屬引線框架的制造方法，其特征在于：該第二銀層的厚度為1.5～2μm之間。

4.根據權利要求1所述的LED金屬引線框架的制造方法，其特征在于：在該步驟S10中，采用腐蝕液蝕刻該金屬帶以形成金屬引線框架；在該步驟S20中，將帶有所述防蝕層或防蝕模具的金屬引線框架放入微蝕劑中進行粗化處理。

5.根據權利要求4所述的LED金屬引線框架的制造方法，其特征在于：該金屬帶的材質為銅，該步驟S10中蝕刻金屬帶的腐蝕液為氯化鐵溶液。

6.根據權利要求4所述的LED金屬引線框架的制造方法，其特征在于：該步驟S20中的微蝕劑包括硫酸和過氧化氫組分。

7.根據權利要求1-6中任一所述的制造方法制造的LED金屬引線框架，其特征在于：所述金屬引線框架側邊形成峰谷狀的微粗化結構，所述峰谷狀的微粗化結構是兩峰之間的最大間距值在5-20μm范圍內，兩峰之間的平均間距值在1-5μm范圍內。