[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310044141.9
• 申請(qǐng)日: 2013-02-04
• 公開（公告）號(hào): CN103515446A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白承范;蔡洙振;李民鏞;徐惠眞;李泳昊;李鎮(zhèn)九;李鍾哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/861
• 分類號(hào): H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;石卓瓊

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一類型半導(dǎo)體層，所述第一類型半導(dǎo)體層被摻雜有N型離子；

第二類型半導(dǎo)體層，所述第二類型半導(dǎo)體層被形成在所述第一類型半導(dǎo)體層之上；以及

硅鍺SiGe層，所述SiGe層被形成在所述第二類型半導(dǎo)體層之上，被摻雜有P型離子。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一類型半導(dǎo)體層和所述SiGe層通過尖峰快速熱退火工藝而被結(jié)晶化。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，還包括：擴(kuò)散阻擋層，所述擴(kuò)散阻擋層插入在所述第一類型半導(dǎo)體層與所述第二類型半導(dǎo)體層之間。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述SiGe層中的Ge含量在5%至50%的范圍。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述SiGe層中的P型離子的頂部摻雜濃度在1E19原子/cm³至1E22原子/cm³的范圍。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一類型半導(dǎo)體層中的N型離子的底部摻雜濃度在1E19原子/cm³至1E22原子/cm³的范圍。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二類型半導(dǎo)體層是本征半導(dǎo)體層。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括擴(kuò)散阻擋層，所述擴(kuò)散阻擋層插入在所述第一類型半導(dǎo)體層與所述第二類型半導(dǎo)體層之間。

9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

在半導(dǎo)體襯底之上形成摻雜有N型離子的第一類型半導(dǎo)體層；

在所述第一類型半導(dǎo)體層之上形成第二類型半導(dǎo)體層；

在所述第二類型半導(dǎo)體層之上形成硅鍺SiGe層；以及

將P型離子摻雜到所述SiGe層中。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括：在將所述P型離子摻雜到所述SiGe層中之后，執(zhí)行尖峰快速熱退火工藝。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括：在形成所述第二類型半導(dǎo)體層之前，在所述第一類型半導(dǎo)體層之上形成擴(kuò)散阻擋層。

12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述SiGe層中的Ge含量在5%至50%的范圍。

13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述SiGe層中的P型離子的頂部摻雜濃度在1E19原子/cm³至1E22原子/cm³的范圍。

14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第一類型半導(dǎo)體層中的N型離子的底部摻雜濃度在1E19原子/cm³至1E22原子/cm³的范圍。

15.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第二類型半導(dǎo)體層是本征半導(dǎo)體層。

16.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括：在所述第一類型半導(dǎo)體層與所述第二類型半導(dǎo)體層之間形成擴(kuò)散阻擋層。