[發明專利]超聲探頭及其制造方法

無效

• 申請號: 201310044111.8
• 申請日: 2013-02-04
• 公開（公告）號: CN103239259A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 金美利;樸正林
• 申請（專利權）人: 三星麥迪森株式會社
• 主分類號: A61B8/14
• 分類號: A61B8/14
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 郭鴻禧;王秀君

1.一種超聲探頭，所述超聲探頭包括：

壓電材料；以及

匹配層，設置在壓電材料的前表面上，

其中，電極形成在匹配層中。

2.根據權利要求1所述的超聲探頭，其中，外部電極形成在匹配層的前表面和后表面上。

3.根據權利要求2所述的超聲探頭，其中，匹配層的內部電極形成為將外部電極電連接。

4.根據權利要求3所述的超聲探頭，其中，匹配層的內部電極形成為垂直于外部電極。

5.根據權利要求1所述的超聲探頭，其中，內部電極形成為一維陣列或二維陣列。

6.根據權利要求1所述的超聲探頭，其中：

壓電材料和匹配層被加工成一維陣列和二維陣列，并且

匹配層的內部電極之間的間隔小于構成壓電材料的陣列的元件的節距。

7.根據權利要求1所述的超聲探頭，其中，匹配層包括一個層或多個層。

8.一種制造超聲探頭的方法，所述方法包括下述步驟：

在匹配層中形成電極；以及

將設置有電極的匹配層安裝在壓電材料的一個表面上。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，在匹配層中形成電極的步驟還包括：

在匹配層的一個表面處形成多個切口；

在匹配層的形成有切口的所述一個表面上形成電極；

填充切口；以及

切割匹配層的前表面和后表面以使電極暴露。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，在匹配層的所述一個表面處形成切口的步驟包括：

在匹配層的所述一個表面處以一維陣列或二維陣列形成多個切口，

其中，切口具有小于壓電材料的元件的節距的寬度。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，在匹配層的形成有切口的所述一個表面上形成電極的步驟包括：至少在切口的內側表面上形成電極，

其中，填充切口的步驟包括：利用用于形成匹配層的材料填充切口，

其中，切割匹配層的前表面和后表面以使電極暴露的步驟包括：沿著橫向方向切割匹配層的前表面和后表面，以使形成在切口的內側表面上的電極通過匹配層的前表面和后表面暴露，

所述方法還包括下述步驟：在切割匹配層的前表面和后表面以使電極暴露之后，在匹配層的使電極暴露的前表面和后表面上形成外部電極。

12.根據權利要求8所述的方法，其中，將設置有電極的匹配層安裝在壓電材料的一個表面上的步驟包括：

將匹配層安裝在壓電材料的一個表面上，使得形成在匹配層上的電極電連接到壓電材料。

13.根據權利要求8所述的方法，所述方法還包括下述步驟：

在將匹配層安裝在壓電材料的一個表面上之后，將匹配層和壓電材料加工成一維陣列或二維陣列；以及

在匹配層的前表面上安裝保護層。

14.根據權利要求13所述的方法，其中：

匹配層包括形成為二維陣列的內部電極，

通過沿著由加工成二維陣列的內部電極形成的格子的對角方向劃分匹配層和壓電材料來執行將匹配層和壓電材料加工成二維陣列的步驟。

15.根據權利要求13所述的方法，其中，使保護層接地，或者向保護層施加電信號，

其中，保護層包括RF屏蔽和/或CS膜。