[發(fā)明專利]一種可機械拉伸的微流控芯片細(xì)胞培養(yǎng)裝置及其應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310043685.3 | 申請日： | 2013-02-04 |
| 公開（公告）號： | CN103146576A | 公開（公告）日： | 2013-06-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 丁永勝;衛(wèi)元晨;范蓓媛;劉春彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院大學(xué) |
| 主分類號： | C12M3/00 | 分類號： | C12M3/00;C12M1/34 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人： | 關(guān)暢 |
| 地址： | 100049 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 機械 拉伸 微流控 芯片 細(xì)胞培養(yǎng) 裝置 及其 應(yīng)用 | ||
1.一種可機械拉伸的微流控芯片細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征在于：所述細(xì)胞培養(yǎng)裝置包括依次疊加在一起的細(xì)胞培養(yǎng)層、PDMS薄膜和液體流量控制層；
所述液體流量控制層上設(shè)有至少1條微通道；所述微通道上設(shè)有至少1個腔室，所述腔室的高度與所述微通道的高度相等；
所述細(xì)胞培養(yǎng)層上設(shè)有與所述腔室數(shù)量相等的細(xì)胞培養(yǎng)池，所述細(xì)胞培養(yǎng)池的底部為所述PDMS薄膜，所述細(xì)胞培養(yǎng)池與所述腔室的形狀相同；
在沿所述液體流量控制層至所述細(xì)胞培養(yǎng)層的方向上，所述細(xì)胞培養(yǎng)池與所述腔室的位置相應(yīng)；
所述微通道的入口和出口均依次穿過所述PDMS薄膜和所述細(xì)胞培養(yǎng)層與外界相連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征在于：所述液體流量控制層和所述細(xì)胞培養(yǎng)層的材質(zhì)為PDMS。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征在于：所述細(xì)胞培養(yǎng)池為圓柱體形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征在于：所述細(xì)胞培養(yǎng)池的直徑為0.4~0.6cm；
所述腔室的直徑比所述細(xì)胞培養(yǎng)池的直徑大0.3mm~0.5mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征在于：所述微通道設(shè)有若干個所述腔室，相鄰所述腔室之間的距離為0.5~1.0cm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征在于：所述微通道的高度為45~55μm，寬度為200~500μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征在于：所述PDMS薄膜的厚度為80~100μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征在于：所述細(xì)胞培養(yǎng)層和所述液體流量控制層的厚度均為0.3~0.5cm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征在于：所述液體流量控制層上設(shè)有若干條所述微通道，所述微通道之間為串聯(lián)連通或并聯(lián)連通。
10.權(quán)利要求1-9中任一項所述細(xì)胞培養(yǎng)裝置在機械拉伸對細(xì)胞活性影響的相關(guān)研究中的應(yīng)用。
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