[發明專利]用以在處理腔室內支撐、定位及旋轉基板的設備與方法有效
| 申請號: | 201310043222.7 | 申請日: | 2008-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN103151290A | 公開(公告)日: | 2013-06-12 |
| 發明(設計)人: | 布萊克·凱爾梅爾;亞歷山大·N·勒納;約瑟夫·M·拉內什;凱達爾納什·桑格姆;庫赫斯特·索瑞伯基 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;鐘強 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用以 處理 室內 支撐 定位 旋轉 設備 方法 | ||
1.一種用于基板的基板支撐組件,包含:
底部,所述底部提供第一氣流來提高所述基板,在所述底部中設有空氣摩擦氣穴;以及
設置于所述底部周圍的多個空氣軸承邊緣輥,其中每個空氣軸承邊緣輥包含套管,所述套管浮動于第二氣流上。
2.如權利要求1所述的基板支撐組件,其中所述底部包含第一板,所述第一板具有多個第一穿孔以引導所述第一氣流。
3.如權利要求2所述的基板支撐組件,還包含第二板,所述第二板設置于所述第一板下方并與所述第一板接觸,其中所述第二板具有第一通道以引導所述第一氣流至所述多個第一穿孔。
4.如權利要求3所述的基板支撐組件,其中所述第一板還具有多個第二穿孔以提供真空,所述第二板還具有第二通道以引導所述真空至所述多個第二穿孔。
5.如權利要求2所述的基板支撐組件,其中所述第一板具有第一溝槽和第二溝槽,所述第一溝槽用以引導所述第一氣流,所述第二溝槽用以提供真空。
6.如權利要求1所述的基板支撐組件,還包含設置于所述底部周圍的熱邊緣阻擋件。
7.一種基板支撐件,包含:
第一板,所述第一板具有多個第一斜向穿孔,所述多個第一斜向穿孔與第一氣體供應連通,所述多個第一斜向穿孔提供第一方向的旋轉氣流。
8.如權利要求7所述的基板支撐組件,其中所述第一板具有多個第二斜向穿孔,所述多個第二斜向穿孔與第二氣體供應連通,所述多個第二穿孔提供第二方向的旋轉氣流,所述第二方向與所述第一方向相反。
9.如權利要求8所述的基板支撐組件,其中所述多個第一斜向穿孔和多個第二斜向穿孔同心地排列。
10.如權利要求7所述的基板支撐件,還包含設置于所述底部周圍的多個空氣軸承邊緣輥,其中每個空氣軸承邊緣輥具有套管,所述套管與第三氣體供應連通。
11.如權利要求9所述的基板支撐件,還包含第二板,所述第二板設置于所述第一板下方并與所述第一板接觸,其中所述第二板具有一個或多個通道,所述通道與所述多個第一斜向穿孔、所述多個第二斜向穿孔、每個空氣軸承邊緣輥的所述套管、所述第一氣體供應、所述第二氣體供應和所述第三氣體供應連通。
12.如權利要求8所述的基板支撐件,其中所述多個第一斜向穿孔和所述多個第二斜向穿孔中的一個提供真空。
13.一種用于處理基板的腔室,包含:
用于加熱所述基板的加熱燈組件;
用于反射來自所述加熱燈組件的光線的反射器平板;以及
設置于所述加熱燈組件與所述反射器平板之間的基板支撐組件,其中所述基板支撐組件包含:
提供氣流以提高和旋轉基板的底部;以及
多個斜向穿孔,所述多個斜向穿孔提供橫向氣流以按照與所述底部相間隔的關系定位所述基板。
14.一種用于處理基板的腔室,包含:
用于加熱所述基板的加熱燈組件;
用于反射來自所述加熱燈組件的光線的反射器平板;以及
設置于所述加熱燈組件與所述反射器平板之間的基板支撐組件,其中所述基板支撐組件包含:
提供第一氣流以提高所述基板的底板;
至少部分圍繞所述基板的熱邊緣阻擋件;以及
多個空氣軸承邊緣輥。
15.如權利要求14所述的腔室,其中所述底板具有多個第一穿孔,所述多個第一穿孔適合用以引導所述第一氣流。
16.如權利要求15所述的腔室,還包含下底板,所述下底板設置于所述底板下方并與所述底板接觸,其中所述下底板具有第一通道以引導所述第一氣流至所述多個第一穿孔。
17.如權利要求16所述的腔室,其中所述底板具有適合用以提供真空的多個第二穿孔,所述下底板具有第二通道以引導所述真空至所述多個第二穿孔。
18.如權利要求14所述的腔室,其中所述底板具有第一溝槽和第二溝槽,所述第一溝槽用以引導所述第一氣流,所述第二溝槽用以提供真空。
19.如權利要求14所述的腔室,其中所述空氣軸承邊緣輥具有套管,所述套管適合于浮動在第二氣流上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





