[發明專利]一種制備雙層石墨烯的化學氣相沉積方法

無效

• 申請號: 201310043092.7
• 申請日: 2013-02-04
• 公開（公告）號: CN103072978A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 林時勝;董策舟
• 申請（專利權）人: 杭州格藍豐納米科技有限公司
• 主分類號: C01B31/04
• 分類號: C01B31/04;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 韓介梅

1.一種制備雙層石墨烯的化學氣相沉積方法，其特征在于包括以下步驟：

1）將金屬基底依次在去離子水、丙酮和乙醇中分別超聲清洗干凈，吹干；

2）將金屬基底放置在CVD裝置的恒溫加熱區，并抽真空至壓強在1mTorr以內；

3）將金屬基底在10~60分鐘內升至500-1000℃，并且通入0.5~1000sccm流量的還原性氣體，保持CVD裝置反應腔壓強為0.01-100?Torr，去除金屬基底的氧化層；

4）保持金屬基底溫度為500-1000℃，反應腔壓強為0.1-100Torr，并且通入0.5~1000sccm流量的還原性氣體和5~1000sccm流量的碳源氣體，生長10~600分鐘；

5）將金屬基底在10~400分鐘內降溫至400-600℃，并且通入0.5~500sccm流量的還原性氣體和5~600sccm流量的惰性氣體，保持CVD裝置反應腔壓強為0.1-100Torr，繼續生長10~60分鐘；

6）保持CVD裝置反應腔壓強為0.1-100Torr，并且通入10~500sccm流量的惰性氣體，將金屬基底在10~500分鐘降溫至室溫，得到雙層石墨烯。

2.根據權利要求1所述的雙層石墨烯的化學氣相沉積制備方法，其特征在于所述的金屬基底為銅箔、金箔、鋅箔、鎳箔或者鋁箔。

3.根據權利要求1所述的雙層石墨烯的化學氣相沉積制備方法，其特征在于：所述的還原性氣體為氫氣或一氧化碳。

4.根據權利要求1所述的雙層石墨烯的化學氣相沉積制備方法，其特征在于：所述的碳源氣體為甲烷、乙烷、乙炔、乙烯或乙醇。

5.根據權利要求1所述的雙層石墨烯的化學氣相沉積制備方法，其特征在于：所述的惰性氣體為氬氣、氮氣、氦氣或氖氣。

6.根據權利要求1所述的雙層石墨烯的化學氣相沉積制備方法，其特征在于步驟3）中還原性氣體的流量為10-50sccm。

7.根據權利要求1所述的雙層石墨烯的化學氣相沉積制備方法，其特征在于步驟4）中還原性氣體的流量為5~50sccm，碳源氣體的流量為60~100sccm。

8.根據權利要求1所述的雙層石墨烯的化學氣相沉積制備方法，其特征在于步驟5）中還原性氣體的流量為5~50sccm。

9.根據權利要求1所述的雙層石墨烯的化學氣相沉積制備方法，其特征在于步驟6）中惰性氣體的流量為50~250sccm。