[發(fā)明專利]II型核殼結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米晶的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310043066.4
• 申請日: 2013-05-08
• 公開（公告）號: CN103184045A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李林松;申懷彬;徐巍巍
• 申請（專利權(quán)）人: 河南大學(xué)
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/88
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.II型核殼結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米晶的制備方法，將點狀顆粒的CdS或ZnSe或CdTe納米晶溶于高沸點有機溶劑并于惰性環(huán)境下除去溶液中的氧氣得到溶液1，然后將12族元素的前驅(qū)體與硫?qū)僭厍膀?qū)體分別溶于相同溶劑的溶液混合得到混合液2，將混合液2滴加至溶液1中，混合溶液加熱至200-300℃使納米晶生長，得到以CdS或ZnSe或CdTe納米晶為核，以硫?qū)倩餅闅さ腎I型核殼結(jié)構(gòu)納米晶；所述溶劑為溶點不大于60℃的非配位溶劑；12族元素與硫?qū)俚奈镔|(zhì)的量比為1：1-1.5。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米晶合成方法合成納米晶，其特點在于：在無膦化合物（如沒有TBP，TOP?）條件下合成高質(zhì)量的熒光量子產(chǎn)率可達30-80%?的CdS/ZnSe,?CdS/ZnSe/ZnS,?ZnSe/CdSe,?ZnSe/CdSe/ZnS,?CdTe/CdSe,?CdTe/CdS,?CdTe/CdSe/CdS和ZnSe/CdSe/CdS/ZnCdS/ZnS等具有II型結(jié)構(gòu)的核殼結(jié)構(gòu)納米晶。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米晶合成方法合成納米晶，其特點在于：合成的CdS/ZnSe,?CdS/ZnSe/ZnS?II型核殼結(jié)構(gòu)納米晶熒光范圍覆蓋450-650nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米晶合成方法合成納米晶，其特點在于：合成的ZnSe/CdSe,?ZnSe/CdSe/ZnS和ZnSe/CdSe/CdS/ZnCdS/ZnS?II型核殼結(jié)構(gòu)納米晶熒光范圍覆蓋410-650nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米晶合成方法合成納米晶，其特點在于：合成的CdTe/CdSe,?CdTe/CdS和CdTe/CdSe/CdS?II型核殼結(jié)構(gòu)納米晶熒光范圍覆蓋600-950nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米晶合成方法合成納米晶，其特點在于：12族元素前驅(qū)體共包括氧化鎘，醋酸鎘，油酸鎘，硬脂酸鎘，癸酸鎘，月桂酸鎘，十四酸鎘，氧化鋅，醋酸鋅，油酸鋅，硬脂酸鋅，癸酸鋅，月桂酸鋅，十四酸鋅等。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米晶合成方法合成納米晶，其特點在于：硫?qū)僭厍膀?qū)體的溶劑包括：十八烯，液體石蠟，石蠟等。