[發明專利]陶瓷覆銅板及其制備方法

有效

• 申請號: 201310042928.1
• 申請日: 2013-02-04
• 公開（公告）號: CN103140026A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 翟克峰
• 申請（專利權）人: 深圳市佳捷特陶瓷電路技術有限公司
• 主分類號: H05K1/03
• 分類號: H05K1/03;H05K3/46
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
• 代理人: 徐勛夫

技術領域

本發明涉及電路板及其制備方法領域技術，尤其是指一種氧化鋁或氮化鋁陶瓷覆銅板及其制備方法。

背景技術

陶瓷材料具有高的導熱系數、低的介電常數、與芯片相近的熱膨脹系數、高耐熱及電絕緣性等特點，陶瓷材料已廣泛應用電子產品及電子設備中。現有技術中，多采用在陶瓷基板上如下工藝：清洗——真空濺鍍——化學沉銅——電路布線——貼干膜、曝光、顯影——電鍍銅加厚——化學刻蝕等工藝制成陶瓷電路板，現有技術中，在真空濺鍍過程中，先濺射一層鈦層后濺射一銅層，然而在實際應用中，由于鈦金屬特別容易鈍化，而濺射鍍銅層不夠致密,在后續加工過程中藥水浸泡時，難以確保鈦層不被氧化、鈍化。因此加厚鍍銅層與鈦層之間的附著力比較難以保證，容易出現抗剝離強度達不到要求。另外，金屬鈦的導熱系數是15.24W/m·K，低于氧化鋁陶瓷的導熱系數24-28?W/m·K，更低于氮化鋁陶瓷的導熱系數170-230?W/m·K，這在一定程度上成為導熱系數提高的瓶頸因素。而金屬鎳的導熱系數為90.7?W/m·K。?

發明內容

有鑒于此，本發明針對現有技術存在之缺失，其主要目的是提供一種陶瓷覆銅板及其制備方法，所制得的陶瓷覆銅板具有優良的導電性且易于加工生產。

為實現上述目的，本發明采用如下之技術方案：一種陶瓷覆銅板，包括有一陶瓷基板，該陶瓷基板上依次設置鈦層、鎳層以及銅層，該鈦層附著于陶瓷基板上，該鎳層附著于鈦層上，該銅層附著于鎳層上。

作為一種優選方案，所述鈦層的厚度為30~100納米，所述鎳層的厚度為30~100納米，所述銅層的厚度為50~150納米。

作為一種優選方案，所述銅層上還電鍍有一銅加厚層。

一種陶瓷覆銅板的制備方法，包括以下步驟：

（1）清洗：對陶瓷基板用酒精進行清洗，然后在200℃下烘烤60分鐘，去除陶瓷基板表面的雜質和污漬；

（2）等離子體處理：對清洗后的陶瓷基板表面進行等離子體蝕刻處理；

（3）真空濺鍍：以真空濺鍍方式在離子源蝕刻后的陶瓷基板表面依序濺射一鈦層、一鎳層以及一銅層，所述鈦層的厚度為30~150納米，所述鎳層的厚度為30~100納米；該銅層的厚度為50~150納米。

作為一種優選方案，還包括有（4）電鍍加厚：在銅層上先通過化學沉銅的方式沉積一層薄銅，然后再繼續電鍍一銅加厚層。

作為一種優選方案，所述陶瓷基板為氧化鋁陶瓷基板或氮化鋁陶瓷基板。

本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果，具體而言，由上述技術方案可知：

通過在陶瓷基板上依次設置有鈦層、鎳層以及銅層，該鈦層與陶瓷基板之間具有較好的附著力，該鎳層與鈦層及銅層之間具有很好的附著力，如此能夠使得銅層與陶瓷基板的連接更加穩固以便后續加工，如刻蝕等工藝。

通過在陶瓷基板上依次濺鍍鈦層、鎳層以及銅層后，在銅層上先通過化學沉銅的方式沉積一層薄銅，然后再繼續電鍍一銅加厚層，客戶可以根據不同電路需求進行不同的電路設計，只需多加一道刻蝕的工藝即可得到所要的陶瓷電路板；通過本發明的設計，滿足了客戶對不同電路的電路板需求，從而有利于大批量生產，降低產品成本，提高市場競爭力。

為更清楚地闡述本發明的結構特征和功效，下面結合附圖與具體實施例來對本發明進行詳細說明：

附圖說明

圖1是本發明之較佳實施例的工藝流程圖；

圖2是本發明之較佳實施例的陶瓷覆銅板截面圖；

圖3是本發明之較佳實施例的陶瓷電路板截面圖。

附圖標識說明：

10、陶瓷基板

20、銅層

30、鈦層

40、鎳層

50、銅加厚層。

具體實施方式

請參照圖2所示，其顯示出了本發明之較佳實施例的具體結構，：一種陶瓷覆銅板，包括有一陶瓷基板10，該陶瓷基板20上依次設置鈦層20、鎳層30以及銅層40，該鈦層20附著于陶瓷基板10上，該鎳層30附著于鈦層20上，該銅層40附著于鎳層30上；所述鈦層20的厚度為30~100納米，所述鎳層30的厚度為30~100納米，所述銅層40的厚度為50~150納米；所述銅層40上還電鍍有一銅加厚層50。

如圖1所示，一種陶瓷覆銅板及其電路板的制備方法，包括以下步驟：

（1）清洗：對陶瓷基板10用酒精進行清洗，然后在200℃下烘烤60分鐘，去除陶瓷基板表面的雜質和污漬；