[發明專利]一種薄膜晶體管、薄膜晶體管驅動背板的制備方法及薄膜晶體管驅動背板

有效

• 申請號: 201310042927.7
• 申請日: 2013-02-04
• 公開（公告）號: CN103094205A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 徐苗;周雷;羅東向;徐華;李民;龐佳威;王瑯;王磊;彭俊彪
• 申請（專利權）人: 廣州新視界光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L29/786
• 代理公司: 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228
• 代理人: 李慧

1.?一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，依次包括如下步驟：

a.在襯底上沉積并圖形化金屬導電層作為柵極金屬層；

b.在所述柵極金屬層上沉積第一絕緣薄膜作為柵極絕緣層；

c.在所述柵極絕緣層上沉積金屬氧化物薄膜并圖形化作為有源層；

d.在所述有源層上沉積第二絕緣薄膜，然后使用自對準曝光方法圖形化所述第二絕緣薄膜作為刻蝕阻擋層；

e.在所述刻蝕阻擋層上沉積第三絕緣薄膜作為保護層，并圖形化所述第三絕緣薄膜，刻蝕形成源漏電極區域；

f.在所述保護層上制備并圖形化金屬薄膜層，作為連接導線。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：

所述步驟d中的使用自對準曝光方法圖形化所述第二絕緣薄膜，包括：

在所述第二絕緣薄膜上制備與所述柵極金屬層形狀一致的正性光刻膠；和

對沒有覆蓋所述正性光刻膠的第二絕緣薄膜進行刻蝕。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：

所述在第二絕緣薄膜上制備與所述金屬導電層的形狀一致的正性光刻膠，具體包括：

在所述第二絕緣薄膜上覆蓋正性光刻膠；

使用柵極金屬層作為自對準光刻掩膜板；

將紫外光由透明襯底一側入射，對所述正性光刻膠進行曝光；

經顯影后，得到與柵極金屬層形狀一致的正性光刻膠；

利用正性光刻膠作為掩膜，使用刻蝕的方法圖形化第二絕緣薄膜作為刻蝕阻擋層。

4.?根據權利要求3所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：

所述刻蝕阻擋層的厚度為50?nm~2000?nm；所述刻蝕阻擋層為二氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鐿、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化鋯、聚酰亞胺、光刻膠、苯丙環丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯構成的單層薄膜，或是由以上材料的任意組合構成的兩層以上的薄膜。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：

在工藝步驟d與e之間，還設置有步驟y,所述步驟y具體是：采用后處理方法將刻蝕阻擋層保護以外的有源層處理為高導薄膜形成共面結構。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：

所述步驟y中的后處理方法具體為：使用含有氫、氬、氧或氟離子的等離子體對構成有源層的薄膜進行轟擊處理。

7.根據權利要求1至6任意一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：?

所述步驟a中在襯底上沉積并圖形化金屬導電層所使用的金屬為鋁、銅、鉬、鈦、銀、金、鉭、鎢、鉻單質或鋁合金；

所述金屬導電層為單層鋁薄膜、銅薄膜、鉬薄膜、鈦薄膜、銀薄膜、金薄膜、鉭薄膜、鎢薄膜、鉻薄膜或鋁合金薄膜;或者是由以上單層金屬薄膜構成的兩層以上的薄膜；

所述金屬導電層的厚度設置為100?nm至2000?nm；

所述金屬導電層作為電信號導線，薄膜晶體管柵極以及像素電路儲存電容下電極的載體層。