[發明專利]測定污染高純硅的污染材料中雜質的量的方法和用于處理高純硅的爐子有效
| 申請號： | 201310042914.X | 申請日： | 2009-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN103149326A | 公開（公告）日： | 2013-06-12 |
| 發明（設計）人： | D·德彼薩;J·霍斯特;T·霍索德;A·瑞特萊維斯基 | 申請（專利權）人： | 赫姆洛克半導體公司 |
| 主分類號： | G01N33/00 | 分類號： | G01N33/00;G01N33/38 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 任永利 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測定 污染 高純 材料 雜質 方法 用于 處理 爐子 | ||
【權利要求書】：
1.測定污染高純硅的包括雜質在內的污染材料中雜質的量的方法，所述方法包括以下步驟：
任選地，測定所述污染材料的雜質含量；
任選地，測定所述高純硅的雜質含量；
提供所述污染材料；
在所述污染材料中至少部分地包埋所述高純硅的樣品；
在爐子內加熱至少部分地包埋在所述污染材料中的所述樣品；和
測定在加熱至少部分地包埋在所述污染材料中的所述樣品的步驟之后所述高純硅的雜質含量與在所述加熱步驟之前所述高純硅的雜質含量相比的變化。
2.權利要求1的方法，其中所述高純硅進一步定義為具有小于或等于500份每萬億份原子的雜質含量的硅。
3.前述權利要求中任一項的方法，其中至少部分地包埋在所述污染材料中的所述樣品在至少1650℉的溫度下被加熱至少200分鐘的時間。
4.前述權利要求中任一項的方法，其中所述雜質選自鋁、砷、硼、磷、鐵、鎳、銅、鉻以及它們的組合。
5.前述權利要求中任一項的方法，其中所述污染材料包含基于所述污染材料的總重量計算以至少40重量%的量存在的至少一種陶瓷。
6.權利要求5的方法，其中所述至少一種陶瓷選自氧化鋁、二氧化硅、碳化硅以及它們的組合。
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