[發明專利]側面發光二極管封裝件有效
| 申請號： | 201310042791.X | 申請日： | 2006-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN103094457A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發明（設計）人： | 金昶煜;韓允錫;宋憐宰;金炳晚;盧在基;洪性在 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 陳源;張帆 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 側面 發光二極管 封裝 | ||
1.一種用于背光單元的側面發光二極管封裝件，包括：
封裝件本體，其具有限定封裝件的安裝表面的第一表面、與所述第一表面相對的第二表面、以及位于第一表面與第二表面之間的側表面，所述封裝件本體包括形成于一個側表面上的腔室，所述腔室具有在底部與頂部之間傾斜的內側壁；
第一和第二引線框架，其布置在所述封裝件本體中，所述封裝件本體被注射塑模以保持所述第一和第二引線框架，所述封裝件本體的所述腔室使得置于所述腔室底部的所述第一和第二引線框架中的至少一個的一部分暴露于外部；
發光二極管芯片，其安裝在所述腔室的底部，以電連接至所述第一和第二引線框架；以及
透明密封劑，其布置在圍繞所述發光二極管芯片的所述腔室中，
其中，所述腔室具有的深度大于所述發光二極管芯片的安裝高度，并且不超過所述安裝高度的六倍；并且
所述發光二極管芯片的安裝高度是50μm至200μm并且所述腔室的深度是250μm至400μm，
其中，所述腔室具有沿短軸方向的第一寬度以及沿垂直于所述短軸方向的長軸方向的第二寬度，并且所述腔室的所述第二寬度在所述腔室的頂端處是2.0mm至2.5mm。
2.根據權利要求1所述的側面發光二極管封裝件，進一步包括導線，所述導線用于將所述發光二極管芯片電連接至所述第一和第二引線框架中的至少一個。
3.根據權利要求2所述的側面發光二極管封裝件，其中，所述導線的一端連接至所述引線框架的隆起焊球，而另一端自動點焊至所述發光二極管芯片。
4.根據權利要求2所述的側面發光二極管封裝件，其中，所述導線布置的方式使得，從所述發光二極管芯片的頂表面到所述導線的頂端的高度是100μm或更少。
5.根據權利要求1所述的側面發光二極管封裝件，其中，所述腔室的所述第二寬度在所述腔室的底部處是1.5mm至1.7mm。
6.根據權利要求1所述的側面發光二極管封裝件，所述腔室的深度由所述封裝件本體的內側壁的高度限定。
7.一種用于背光單元的側面發光二極管封裝件，包括：
封裝件本體，其具有限定封裝件的安裝表面的第一表面、與所述第一表面相對的第二表面、以及位于第一表面與第二表面之間的側表面，所述封裝件本體包括形成于一個側表面上的腔室，所述腔室具有在底部與頂部之間傾斜的內側壁；
第一和第二引線框架，其布置在所述封裝件本體中，所述封裝件本體被注射塑模以保持所述第一和第二引線框架，所述封裝件本體的所述腔室使得置于所述腔室底部的所述第一和第二引線框架中的至少一個的一部分暴露于外部；
發光二極管芯片，其安裝在所述腔室的底部，以電連接至所述第一和第二引線框架；
透明密封劑，其布置在圍繞所述發光二極管芯片的所述腔室中；以及
導線，用于將所述發光二極管芯片電連接至所述第一和第二引線框架中的至少一個，所述導線的一端連接至所述引線框架的隆起焊球，而另一端自動點焊至所述發光二極管芯片，
其中，所述發光二極管芯片的安裝高度是50μm至200μm并且所述腔室的深度是250μm至400μm。
8.根據權利要求7所述的側面發光二極管封裝件，其中，所述導線布置的方式使得，從所述發光二極管芯片的頂表面到所述導線的頂端的高度是100μm或更少。
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