[發明專利]光敏電阻

有效

• 申請號: 201310042597.1
• 申請日: 2013-02-04
• 公開（公告）號: CN103972322A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 劉軍庫;李關紅;李群慶;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L31/08
• 分類號: H01L31/08;H01L31/0224
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種光敏電阻，其特征在于，所述光敏電阻包括一第一電極層、一光敏材料層及一第二電極層，所述第一電極層、光敏材料層和第二電極層層疊設置，構成一三明治結構，所述第一電極層和第二電極層分別設置于所述光敏材料層相對的兩個表面上，且分別與所述光敏材料層電接觸，所述第一電極層包括一第一碳納米管薄膜結構。

2.如權利要求1所述的光敏電阻，其特征在于，所述第一碳納米管薄膜結構包括多個均勻分布的碳納米管，所述多個碳納米管沿同一方向擇優取向排列。

3.如權利要求1所述的光敏電阻，其特征在于，所述第一碳納米管薄膜結構包括至少一碳納米管拉膜，所述碳納米管拉膜包括多個沿同一方向擇優取向排列的碳納米管，且相鄰的兩個碳納米管之間通過范德華力相連。

4.如權利要求3所述的光敏電阻，其特征在于，所述碳納米管拉膜的透光率在80%~90%之間。

5.如權利要求3所述的光敏電阻，其特征在于，所述碳納米管拉膜的透光率大于等于95%。

6.如權利要求1所述的光敏電阻，其特征在于，所述第二電極層包括一第二碳納米管薄膜結構。

7.如權利要求6所述的光敏電阻，其特征在于，所述第二碳納米管薄膜結構包括多個均勻分布的碳納米管，所述多個碳納米管沿同一方向擇優取向排列。

8.如權利要求1所述的光敏電阻，其特征在于，所述第二電極層包括一金屬薄膜。

9.如權利要求1所述的光敏電阻，其特征在于，所述光敏材料層由硫化鎘、硫化鉛、硫化鋁、硫化鉍、鍺和硒中的一種組成。

10.如權利要求1所述的光敏電阻，其特征在于，所述光敏材料層的厚度在5微米~500微米之間。

11.如權利要求10所述的光敏電阻，其特征在于，所述光敏材料層的厚度在5微米~150微米之間。

12.如權利要求1所述的光敏電阻，其特征在于，所述第一電極層和第二電極層完全覆蓋住所述光敏材料層，并與所述光敏材料層緊密貼合在一起。

13.如權利要求1所述的光敏電阻，其特征在于，所述光敏電阻進一步包括相互間隔設置的第一引出電極及第二引出電極，所述第一引出電極與所述第一電極層電連接，所述第二引出電極與所述第二電極層電連接。

14.如權利要求13所述的光敏電阻，其特征在于，所述第一引出電極設置于所述第一電極層沿著所述碳納米管擇優取向排列的方向的一端。

15.如權利要求13所述的光敏電阻，其特征在于，所述第二引出電極設置于所述第二電極層沿著所述碳納米管擇優取向排列的方向的一端。

16.如權利要求13所述的光敏電阻，其特征在于，所述第一引出電極分別與所述第二電極層和光敏材料層電絕緣設置，所述第二引出電極分別與所述第一電極層和光敏材料層電絕緣設置。

17.如權利要求13所述的光敏電阻，其特征在于，所述光敏電阻進一步包括一絕緣基底，所述第二電極層、第一引出電極和第二引出電極均設置在所述絕緣基底的一表面。