[發明專利]一種感光芯片的封裝方法及采用該封裝方法的封裝結構有效
| 申請號: | 201310042596.7 | 申請日: | 2013-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN103972248B | 公開(公告)日: | 2016-10-12 |
| 發明(設計)人: | 田麗平 | 申請(專利權)人: | 田麗平 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232 | 代理人: | 孫艷 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 感光 芯片 封裝 方法 采用 結構 | ||
技術領域
本發明涉及半導體封裝領域,具體涉及一種感光芯片的封裝方法及采用該封裝方法的封裝結構。
背景技術
感光芯片是一種用來執行數位電子影像的成像設備,隨著主要應用于手機相機和其它影像設備,其中的電路實現將光能轉換為電壓,再轉換成數位信號進行處理,初期次微米半導體制程技術成熟,使得影像感測器成為注目的焦點。
現有技術中,由于半導體封裝技術發展迅速,各種芯片可以通過封裝技術達到保護芯片和避免芯片受潮的目的,并引導芯片的導線與印刷電路板的導線連接。
傳統的芯片封裝流程如下:首先將整片裸晶圓進行切割,形成單顆分立的芯片,提供一新的基板,將切割后的獨立芯片貼在新的基板上,然后通過打線的方式把各管腳連接出,最后形成比原始芯片面積大的焊球陣列芯片。該種封裝有利于封裝體積小、多電極、電極間距窄的芯片,此外該種封裝可以同時封裝不同類型的芯片。
然而,對于感光芯片而言,需要更好的封裝技術保護其感光區,以免感光區遭受微粒子的污染。
現有技術的保護感光區工藝是將獨立的裸芯片放置于一面積大于裸芯片的一襯底上,通過硅通孔的方式引出重新分布的線路,在影像傳感芯片的感光區通過透明的蓋子進行保護。現有技術的硅通孔技術,雖然解決了感光芯片封裝中污染的問題,但工藝成本高。不能同時保證光區的污染率降低和工藝成本的降低。
發明內容
為解決上述問題,本發明提供一種在不改變原有芯片設計的基礎上,實現不同尺寸的感光芯片的晶圓級封裝,本發明特殊保護了感光芯片感光區部位,使其不易被污染,實現了在實施過程中對制程能力和制作環境的低要求,工藝簡化,降低了產品的封裝成本。
為實現上述目的,本發明提供的技術方案是:一種感光芯片的封裝方法,其特征在于,其制作方法包括以下工序:工序一,保護感光芯片的感光區;工序二,將經過保護的感光芯片減薄切割,分割成單個芯片;工序三,將分割后的上述單個芯片采用采用Wire Bond工藝封裝;其中,保護感光區步驟包括以下步驟:提供一張透明的IR玻璃通過光刻技術在IR玻璃上形成墻體結構,制成有墻玻璃;將有墻玻璃進行切割,形成單個光學蓋子;根據感光芯片晶圓尺寸形狀,重整上述光學蓋子于一有膠基板上,形成一個與上述感光芯片晶圓相匹配的光學玻璃;將重整的所述光學玻璃與上述感光芯片晶圓對位及壓合;照射UV紫外線;分離重整所述光學玻璃的基板。
進一步地,上述工序一和工序二也可為先將感光芯片減薄,再保護感光芯片的感光區,再將經減薄和保護感光區的上述感光芯片切割分成單個芯片。
進一步地,上述工序一還可以采用先沉積1000埃左右的鋁或二氧化硅保護。
進一步地,上述保護感光芯片的感光區步驟還可以采用以下步驟:提供一張透明的8英寸或12英寸IR玻璃;通過光刻技術在IR玻璃上形成墻體結構,制成有墻玻璃;將加工后的有墻玻璃與感光芯片晶圓對位及壓合;切割上述壓合后的感光芯片晶圓。
進一步地,上述IR玻璃還可為透明玻璃、極薄二氧化硅或鋁。
進一步地,上述工序三也可為將分割后的上述單個芯片采用FC倒裝芯片工藝封裝。
更進一步地,上述FC倒裝芯片工藝包括以下步驟:1.加工FC所需開窗基板;2.將有蓋子的芯片倒裝在開窗基板上;3.將上述基板與芯片之間空隙進行點膠塑封;4.切割上述塑封后開窗基板。
一種感光芯片的封裝結構,包括IR玻璃、金屬線、基板、感光芯片、CV墻以及焊盤,上述感光芯片放置于所述基板上,上述芯與所述基板通過焊線連接,上述帶有CV墻的IR玻璃壓蓋于所述感光芯片的感光區,上述焊盤固定于基板的背面。
一種感光芯片的封裝結構,包括IR玻璃、基板、感光芯片、CV墻以及錫球,上述IR玻璃蓋于上述感光芯片的感光區,上述IR玻璃上刻有所述CV墻,上述錫球固定于所述基板背面的四周。
與現有技術相比,本發明的有益效果在于:由于本發明在不改變原有芯片設計的基礎上,實現不同尺寸的感光芯片的晶圓級封裝,采用特殊工藝保護了感光芯片感光區部位,通過在封裝感光芯片前首先實施保護感光區的保護工藝,再進行芯片成型封裝的方法,在感光芯片封裝時起到了保護作用,使其封裝時其不易被污染,所以在封裝實施過程中,可以對環境要求、對制程能力的要求降低,簡化封裝工藝,降低了產品的封裝成本。
附圖說明
圖1是實施例1的示意圖。
圖2是實施例7的示意圖。
1.IR玻璃2.基板3.CIS芯片4.CV墻5.錫球6.金屬線7.焊盤。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





