[發明專利]成膜裝置

有效

• 申請號: 201310042555.8
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN103243314A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 加藤壽;三浦繁博
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/505
• 分類號: C23C16/505;C23C16/455;H05H1/46;H01L21/31
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種成膜裝置，該成膜裝置是通過在真空容器內多次進行將彼此反應的多種處理氣體依次供給的循環來層疊反應生成物而在基板上形成薄膜的成膜裝置，其中，該成膜裝置包括：

旋轉臺，其設于上述真空容器內，在其一表面側形成有用于載置基板的基板載置區域，其用于使該基板載置區域旋轉；

第1處理氣體供給部，其用于向第1處理區域供給第1處理氣體；

第1等離子體處理部，其用于在第2處理區域中對基板進行等離子體處理；

分離氣體供給部，其用于向形成于上述第1處理區域和第2處理區域之間的分離區域供給分離氣體，以便使上述第1處理區域的氣氛氣體和第2處理區域的氣氛氣體分離；

排氣口，其用于對上述真空容器內的氣氛氣體進行真空排氣，

上述第1等離子體處理部包括：

第1圍繞部分，其劃分形成用于使等離子體產生的等離子體產生空間，在其下部形成有等離子體的噴出口；

第2處理氣體供給部，其用于向上述等離子體產生空間供給第2處理氣體；

活化部，其用于使上述等離子體產生空間的上述第2處理氣體活化；

第2圍繞部分，其設在上述第1圍繞部分的下方，用于形成引導空間，該引導空間從上述旋轉臺的中心部側延伸到外緣部側，該引導空間將從上述噴出口噴出的等離子體向上述旋轉臺的一表面側引導。

2.根據權利要求1所述的成膜裝置，其中，

在上述真空容器的頂部形成有開口部，

上述第1圍繞部分和上述第2圍繞部分的結合體經由上述開口部嵌入到真空容器內，上述第1圍繞部分位于比上述頂部靠上方的位置。

3.根據權利要求1所述的成膜裝置，其中，

上述第2處理氣體供給部在上述旋轉臺的周向上與上述第1處理氣體供給部分開地設置，

從上述第2處理氣體供給部供給的上述第2處理氣體包含與已吸附于基板的上述第1處理氣體反應的氣體。

4.根據權利要求1所述的成膜裝置，其中，

上述第1等離子體處理部還包括被設在上述第1圍繞部分與上述第2圍繞部分之間的隔板，

上述噴出口由設于上述隔板的狹縫構成。

5.根據權利要求4所述的成膜裝置，其中，

上述狹縫以從上述旋轉臺的中心部側向外緣部側延伸的方式設置。

6.根據權利要求1所述的成膜裝置，其中，

該成膜裝置還包括整流板，該整流板在上述第2圍繞部分下部中的上述旋轉臺的周向兩側沿著該第2圍繞部分的長度方向形成，該整流板在該第2圍繞部分下方的區域中規定該整流板與配置在上述旋轉臺上的基板之間的空間的距離。

7.根據權利要求6所述的成膜裝置，其中，

上述整流板包括彎曲部，該彎曲部以對上述第2圍繞部分下方的區域與上述旋轉臺的外周之間進行分隔的方式形成，該彎曲部以與該旋轉臺的外周端面隔開間隙地相對的方式向下方側彎曲。

8.根據權利要求1所述的成膜裝置，其中，

上述第1圍繞部分由縱向的扁平的容器的上部分構成，

上述第2圍繞部分由上述容器的下部分構成。

9.根據權利要求1所述的成膜裝置，其中，

上述活化部是以卷繞在上述第1圍繞部分的周圍的方式配置的天線。

10.根據權利要求9所述的成膜裝置，其中，

上述第1等離子體處理部還包括法拉第屏蔽件，該法拉第屏蔽件以介于上述天線與上述第1圍繞部分之間的方式設置，用于阻止在上述天線的周圍產生的電磁場中的電場成分的通過并使磁場向基板側通過，該法拉第屏蔽件被接地，由導電性的板狀體構成，在該板狀體上沿著該天線的延伸方向排列有多個沿著與上述天線分別正交的方向延伸的狹縫。