[發(fā)明專利]用于制造3D圖像傳感器結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310042268.7
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN103579264A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高敏峰;楊敦年;劉人誠;莊俊杰
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種用于制造圖像傳感器件的方法，包括：

在襯底上提供圖像傳感器，所述圖像傳感器至少包括設(shè)置在所述襯底的第一側(cè)上的光敏區(qū)；

在所述襯底的第一側(cè)施加第一介電層；

在所述第一介電層上施加半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層的上方形成至少一個晶體管；

在所述至少一個晶體管及所述半導(dǎo)體層的上方施加金屬間介電層；以及

至少在所述金屬間介電層中制造至少一個金屬互連件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述圖像傳感器還包括在所述圖像傳感器中至少將所述光敏區(qū)與浮置擴散區(qū)橋接的轉(zhuǎn)移柵極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述半導(dǎo)體層中限定源極區(qū)和漏極區(qū)。

4.一種用于制造圖像傳感器件的方法，包括：

在襯底上提供圖像傳感器，所述圖像傳感器至少包括設(shè)置在所述襯底的第一側(cè)上的光敏區(qū)；

在所述襯底的第一側(cè)施加第一介電層；

在所述第一介電層的至少一部分上施加半導(dǎo)體層；

將所述半導(dǎo)體層形成在一個或多個分離的器件區(qū)中；

在所述半導(dǎo)體層上制造至少一個控制晶體管；以及

在所述至少一個控制晶體管的上方形成金屬互連件，其中所述金屬互連件將所述圖像傳感器和所述至少一個控制晶體管電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述金屬互連件位于所述至少一個控制晶體管上方設(shè)置的介電層中。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述圖像傳感器還包括至少將所述光敏區(qū)與浮置擴散區(qū)橋接的轉(zhuǎn)移柵極，其中，在所述轉(zhuǎn)移柵極的上方施加所述第一介電層。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，施加所述半導(dǎo)體層包括沉積多晶硅層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，制造至少一個控制晶體管包括為源極跟隨器晶體管、復(fù)位晶體管以及行選擇晶體管中的至少一個限定源極區(qū)和漏極區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，施加所述第一介電層以及施加所述半導(dǎo)體層包括將具有介電層和半導(dǎo)體層的晶圓接合到所述襯底的第一側(cè)并且將所述半導(dǎo)體層減薄到預(yù)定的厚度。

10.一種半導(dǎo)體圖像傳感器件，包括：

具有圖像傳感器的襯底，所述圖像傳感器具有光敏區(qū)，所述光敏區(qū)設(shè)置在所述襯底內(nèi)和所述襯底的第一側(cè)；

設(shè)置在所述襯底的第一側(cè)上的第一層間介電層；

半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一介電層上并且形成在一個或多個器件區(qū)中；

至少一個控制晶體管，設(shè)置在所述一個或多個器件區(qū)上；以及

金屬間介電層，具有設(shè)置在其中并連接到至少一個晶體管的一個或多個互連件的至少一部分。