[發明專利]使用擴散接觸結構的基于交叉耦合的設計

有效

• 申請號: 201310042100.6
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN103579091A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: M·拉希德;M·泰拉比;C·阮;D·多曼;J·金;X·齊;S·文卡特桑
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/535
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種方法，其包含下列步驟：

提供在一襯底上方的第一及第二柵極結構；

提供穿越該第一柵極結構的第一柵極截止區，以及穿越該第二柵極結構的第二柵極截止區；

提供在該第一柵極結構上方的第一柵極接觸件，以及在該第二柵極結構上方的第二柵極接觸件；以及

提供在該第一及該第二柵極截止區之間以使該第一柵極接觸件耦合至該第二柵極接觸件的一擴散接觸結構。

2.如權利要求1所述的方法，其進一步包括：

提供在一兩柵極間距區內的該擴散接觸結構、該第一柵極截止區及該第二柵極截止區。

3.如權利要求2所述的方法，其中，該兩柵極間距區包含第一、第二、第三及第四晶體管。

4.如權利要求3所述的方法，其進一步包括：

提供在該第一柵極截止區的兩對邊上的該第一晶體管的第一晶體管柵極結構與該第二晶體管的第二晶體管柵極結構；以及

提供在該第二柵極截止區的兩對邊上的該第三晶體管的第三晶體管柵極結構與該第四晶體管的第四晶體管柵極結構。

5.如權利要求1所述的方法，其中，該擴散接觸結構與該第一柵極結構、該第二柵極結構或其組合重疊。

6.如權利要求1所述的方法，其進一步包括：

提供有該第一及該第二柵極結構、該第一及該第二柵極截止區、該第一及該第二柵極接觸件以及該擴散接觸結構的一復用器電路。

7.如權利要求1所述的方法，其進一步包括：

提供有該第一及該第二柵極結構、該第一及該第二柵極截止區、該第一及該第二柵極接觸件以及該擴散接觸結構的一觸發器電路。

8.如權利要求7所述的方法，其進一步包括：

提供在該襯底上方的第三、第四、第五及第六柵極結構；

提供穿越該第三柵極結構的第三柵極截止區，穿越該第四柵極結構的第四柵極截止區，穿越該第五柵極結構的第五柵極截止區，以及穿越該第六柵極結構的第六柵極截止區；

提供在該第三柵極結構上方的第三柵極接觸件，在該第四柵極結構上方的第四柵極接觸件，在該第五柵極結構上方的第五柵極接觸件，以及在該第六柵極結構上方的第六柵極接觸件；以及

提供在該第三及該第四柵極截止區之間以使該第三柵極接觸件耦合至該第四柵極接觸件的第二擴散接觸結構，以及在該第五及該第六柵極截止區之間以使該第五柵極接觸件耦合至該第六柵極接觸件的第三擴散接觸結構，

其中，該觸發器電路進一步包含該第三、該第四、該第五及該第六柵極結構、該第三、該第四、該第五及該第六柵極截止區、該第三、該第四、該第五及該第六柵極接觸件及該第二及該第三擴散接觸結構。

9.一種裝置，其包含：

在一襯底上方的第一及第二柵極結構；

穿越該第一柵極結構的第一柵極截止區，以及穿越該第二柵極結構的第二柵極截止區；

在該第一柵極結構上方的第一柵極接觸件，以及在該第二柵極結構上方的第二柵極接觸件；以及

在該第一及該第二柵極截止區之間以使該第一柵極接觸件耦合至該第二柵極接觸件的一擴散接觸結構。

10.如權利要求9所述的裝置，其中，該擴散接觸結構、該第一柵極截止區及該第二柵極截止區都在一兩柵極間距區內。

11.如權利要求10所述的裝置，其中，該兩柵極間距區包含第一、第二、第三及第四晶體管。

12.如權利要求11所述的裝置，其進一步包含：

在該第一柵極截止區的兩對邊上的該第一晶體管的第一晶體管柵極結構與該第二晶體管的第二晶體管柵極結構；以及

在該第二柵極截止區的兩對邊上的該第三晶體管的第三晶體管柵極結構與該第四晶體管的第四晶體管柵極結構。

13.如權利要求9所述的裝置，其中，該擴散接觸結構與該第一柵極結構、該第二柵極結構或其組合重疊。

14.如權利要求9所述的裝置，其進一步包含：

有該第一及該第二柵極結構、該第一及該第二柵極截止區、該第一及該第二柵極接觸件以及該擴散接觸結構的一復用器電路。