[發明專利]薄膜配線形成方法及薄膜配線有效
| 申請號： | 201310042051.6 | 申請日： | 2013-02-01 |
| 公開（公告）號： | CN103258725B | 公開（公告）日： | 2017-04-12 |
| 發明（設計）人： | 森曉 | 申請（專利權）人： | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/285 | 分類號： | H01L21/285;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 線形 成方 | ||
1.一種薄膜配線形成方法，其通過使用Cu-Ca合金靶的濺射法進行成膜，其特征在于，
使用具有Ca為0.5at%以上且不到5at%、剩余部分為Cu及不可避免雜質的組成的Cu-Ca合金靶以所述濺射法形成Cu-Ca合金膜之后，
在氧氣分壓為10-4～10-10氣壓的含微量氧的惰性氣體氣氛中，以300～700℃對所述合金膜進行熱處理。
2.如權利要求1所述的薄膜配線形成方法，其特征在于，
所述Cu-Ca合金膜的平均膜厚為10～500nm。
3.如權利要求1或2所述的薄膜配線形成方法，其特征在于，
形成所述Cu-Ca合金膜之后，在Cu-Ca合金膜上形成Cu膜。
4.如權利要求1或2所述的薄膜配線形成方法，其特征在于，
所述熱處理后，在Cu-Ca合金膜上形成Cu膜。
5.一種薄膜配線，其特征在于，通過權利要求1或2的方法形成，
以俄歇電子能譜法測定的所述Cu-Ca合金膜在膜厚方向上的Ca含有比例的峰值相對于Cu與Ca的總量為0.5at%以上且不到5at%。
6.一種薄膜配線，其特征在于，通過權利要求3的方法形成，
以俄歇電子能譜法測定的所述Cu-Ca合金膜在膜厚方向上的Ca含有比例的峰值相對于Cu與Ca的總量為0.5at%以上且不到5at%。
7.一種薄膜配線，其特征在于，通過權利要求4的方法形成，
以俄歇電子能譜法測定的所述Cu-Ca合金膜在膜厚方向上的Ca含有比例的峰值相對于Cu與Ca的總量為0.5at%以上且不到5at%。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
