[發明專利]一種156多晶硅缺角片的處理方法有效
| 申請號: | 201310041987.7 | 申請日: | 2013-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN103078011A | 公開(公告)日: | 2013-05-01 |
| 發明(設計)人: | 楊雷;梁興芳;張長江 | 申請(專利權)人: | 潤峰電力有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221 | 代理人: | 鄧建國 |
| 地址: | 277600 山東省濟*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 156 多晶 硅缺角片 處理 方法 | ||
1.一種156多晶硅缺角片的處理方法,其特征在于,主要步驟為利用激光切割設備將156多晶硅缺角片切割為單晶156的外部尺寸,經過全新設計的電極與電場方案進行印刷之后,使用與常規相同的方法進行電池與組件的加工處理,最終的組件產品與單晶156產品具備相同的外觀,用以編入系統電站的建設中充分利用。
2.根據權利要求1所述的處理方法,其特征在于,具體步驟如下:
第一步,將車間生產工段中產生的156多晶硅缺角片統一制備至鍍膜后絲網印刷前待下步處理;
第二步,將編制156單晶圓角圖形文件調入激光切割機將所有缺角片加工為156單晶的外觀;
第三步,將切割好的在制品使用細砂紙進行邊角打磨避免較尖銳的邊緣出現;
第四步,將處理好的在制品利用絲網印刷技術制備156單晶圓角的電極、電場;
第五步,將成品電池片進行測試分檔為下一步制備組件成品做好準備;
第六步,將同檔電池片串焊、層壓制備組件并進行組件測試分檔以備系統電站的使用。
3.根據權利要求2所述的處理方法,其特征在于,所述第二步中,使用12~12.4A、13KHz的激光以8~10mm/s的速度即可進行切割改變尺寸。
4.根據權利要求2所述的處理方法,其特征在于,所述第三步中,細砂紙的目數為800目或更細。
5.根據權利要求2所述的處理方法,其特征在于,所述第五步中,測試前應該修正面積為156單晶硅面積23860平方毫米。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于潤峰電力有限公司,未經潤峰電力有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310041987.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





