[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

無效

• 申請號: 201310041932.6
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN103117284A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 秦緯;李文齊
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上形成包括柵電極和柵線的圖形，并在非顯示區域的柵線上方第一過孔預留位置設置光刻膠；

步驟2、在完成前述步驟的基板上形成TFT各功能層及數據線的圖形，并在非顯示區域數據線上方第二過孔預留位置設置光刻膠；

步驟3、在完成前述步驟的基板上形成包括第一像素電極的圖形，然后形成鈍化層；

步驟4、在完成前述步驟的基板上去除所述第一過孔預留位置上方設置的光刻膠及其上方的膜層，同時去除所述第二過孔預留位置上設置的光刻膠以及其上方的膜層，以形成第一過孔及第二過孔。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，

所述步驟2與所述步驟3之間，還包括：

去除所述非顯示區域的柵線上方第一過孔預留位置的光刻膠及其上方的膜層；

所述步驟3還包括：

在所述第一像素電極與所述鈍化層之間，與第一過孔預留位置相對應的位置上設置光刻膠。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟1包括：

在所述基板上形成柵金屬薄膜；

在所述柵金屬薄膜上形成第一光刻膠；

對所述第一光刻膠進行半曝光工藝，顯影處理后形成第一光刻膠完全保留區域、第一光刻膠部分保留區域以及第一光刻膠完全去除區域，其中，所述第一光刻膠完全保留區域對應于柵線上方第一過孔預留位置，第一光刻膠部分保留區域對應于所述柵電極；

刻蝕所述第一光刻膠完全去除區域對應的所述柵金屬薄膜，以形成包括所述柵電極和柵線的圖形；

去除所述第一光刻膠部分保留區域的第一光刻膠，并在非顯示區域的柵線上方第一過孔預留位置保留部分光刻膠。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述TFT各功能層包括有源層、源電極、漏電極和TFT溝道。

5.根據權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟2包括：

在完成前述步驟的基板上形成半導體薄膜、摻雜半導體薄膜和源漏金屬薄膜；

在所述源漏金屬薄膜上形成第二光刻膠；

對所述第二光刻膠進行半曝光工藝，顯影處理后形成第二光刻膠完全保留區域、第二光刻膠部分保留區域以及第二光刻膠完全去除區域，其中，所述第二光刻膠完全保留區域對應于所述數據線上第二過孔預留位置、源電極和漏電極，所述第二光刻膠部分保留區域對應于所述TFT溝道；

刻蝕所述第二光刻膠完全去除區域對應的源漏金屬薄膜、摻雜半導體薄膜和半導體薄膜，以形成包括有源層、源電極和漏電極的圖形；

去除所述第二光刻膠部分保留區域的第二光刻膠，并在所述數據線上第二過孔預留位置保留部分光刻膠。

6.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟3包括：

在完成前述步驟的基板上形成第一導電薄膜；

在所述第一導電薄膜上形成第三光刻膠；

對所述第三光刻膠進行半曝光工藝，顯影處理后形成第三光刻膠完全保留區域、第三光刻膠部分保留區域以及第三光刻膠完全去除區域，其中，所述第三光刻膠完全保留區域對應于所述數據線上第二過孔預留位置及柵線上方第一過孔預留位置；

刻蝕所述第三光刻膠完全去除區域對應的所述第一導電薄膜，以在所述柵線上方第一過孔預留位置及數據線上第二過孔預留位置上形成包括第一薄膜的圖形；

去除所述第三光刻膠部分保留區域的第三光刻膠。

7.根據權利要求1或2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟4后，還包括：

步驟5、在所述第一過孔內及所述第二過孔內形成包括第二薄膜的圖形。

8.根據權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟5包括：

在完成前述步驟的基板上形成第二導電薄膜；

在所述第二導電薄膜上形成第四光刻膠；

對所述第四光刻膠進行曝光工藝，顯影處理后形成第四光刻膠完全保留區域以及第四光刻膠完全去除區域，其中，所述第四光刻膠完全保留區域對應于所述第一過孔及所述第二過孔；

去除所述第四光刻膠完全保留區域的第四光刻膠。