[發明專利]各向異性磁阻結構磁場強度檢測裝置

有效

• 申請號: 201310041892.5
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN103076578B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發明（設計）人: 時廷
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G01R33/09
• 分類號: G01R33/09
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種各向異性磁阻結構磁場強度檢測裝置，其特征在于包括：矩形片電阻區域、第一連線、第二連線、第三連線、第四連線、第一測試探針接口、第二測試探針接口、第三測試探針接口、以及第四測試探針接口；

其中，第一測試探針接口通過第一連線連接至矩形片電阻區域；第二測試探針接口通過第二連線連接至矩形片電阻區域；第三測試探針接口通過第三連線連接至矩形片電阻區域；第四測試探針接口通過第四連線連接至矩形片電阻區域；

其中，第一測試探針接口位于矩形片電阻區域的一端，第四測試探針接口位于矩形片電阻區域的另一端，第二測試探針接口和第三測試探針接口位于矩形片電阻區域的同一側；并且，針對第二測試探針接口和第三測試探針接口兩者而言，第二測試探針接口更靠近第一測試探針接口，第三測試探針接口更靠近第四測試探針接口。

2.根據權利要求1所述的各向異性磁阻結構磁場強度檢測裝置，其特征在于，第一連線和第四連線相對于矩形片電阻區域對稱布置，并且第一測試探針接口和第四測試探針接口相對于矩形片電阻區域對稱布置。

3.根據權利要求1或2所述的各向異性磁阻結構磁場強度檢測裝置，其特征在于，第二連線和第三連線相對于矩形片電阻區域對稱布置，并且第二測試探針接口、第三測試探針接口相對于矩形片電阻區域對稱布置。

4.根據權利要求1或2所述的各向異性磁阻結構磁場強度檢測裝置，其特征在于，四根測試探針分別接觸到第一測試探針接口、第二測試探針接口、第三測試探針接口、以及第四測試探針接口，此后，在第二測試探針接口與第三測試探針接口之間施加測試電流，并且使得第一測試探針接口和第四測試探針接口通過的電流為0，在此情況下量測第一測試探針接口和第四測試探針接口之間的電壓差，由此將電壓差除以測試電流得到的計算電阻確定為矩形片電阻區域的電阻值。

5.根據權利要求1或2所述的各向異性磁阻結構磁場強度檢測裝置，其特征在于，在使用所述各向異性磁阻結構磁場強度檢測裝置時，將待測的各向異性磁阻結構在所述各向異性磁阻結構磁場強度檢測裝置附近。

6.根據權利要求5所述的各向異性磁阻結構磁場強度檢測裝置，其特征在于，在使用所述各向異性磁阻結構磁場強度檢測裝置時，使得矩形片電阻區域的長度方向與待測的各向異性磁阻結構的長度方向平行。

7.根據權利要求5或6所述的各向異性磁阻結構磁場強度檢測裝置，其特征在于，矩形片電阻區域的長度與待測的各向異性磁阻結構的長度相等。